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中科院微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展
11/08/2024,光纤在线讯,环栅晶体管(GAAFET)与传统FinFET工艺流程相比,引入了内侧墙(innerspacer)、沟道释放(channelrelease)等工艺,必须通过对叠层结构的精确横向刻蚀来实现。高精度刻蚀工艺控制是三维集成电路制造面临的最大挑战之一,其工艺机理和调控机制在科......
2024-11-08 11:29:51