上海工研院2025年硅光MPW流片启动，席位有限，预订从速！
发布时间：2024-11-20 16:28:27 热度：83
11/20/2024，光纤在线讯，上海工研院(SITRI) 联合中国科学院上海微系统所、中国科学院半导体研究所、上海交通大学等国内硅基光电子领域知名研究机构，建立硅基光电子器件工艺平台，拥有近5000平米洁净室，具备90nm高精度光刻、晶体外延、介质薄膜生长、干法及湿法刻蚀、掺杂、金属互连和在线工艺检测等成套关键工艺能力，可以通过MPW、定制化流片、联合研发等多种方式为各类高校、科研院所和企业提供服务，满足客户研发、中试、封装等多样化需求。
经过多年沉淀积累，上海工研院硅光平台的服务能力持续稳定提升，日趋成熟，获得了行业的高度认可。2023年，90纳米硅基光电子技术入选《2023年上海市科技进步报告》，并在2024年入选中国光学工程学会“硅基光电子三年优秀成果展”。随着强烈的市场需求，为确保每一位合作伙伴都能及时把握住研发创新的先机，我们正积极调配资源，优化流程，确保在2025年为客户提供更加紧凑、高效的流片周期。
在此，我们诚挚邀请各界同仁，无论是致力于前沿探索的学术团队，还是追求技术创新的企业伙伴，尽早规划，把握时机，加入我们的流片计划。2025年，让我们携手并进，在硅基光电子的广阔天地中，共同书写属于未来的辉煌篇章！
硅光MPW流片安排
硅光MPW流片工艺
上海工研院共提供5套硅光工艺，包括90nm SOI无源工艺、180nm SiN无源工艺、SiN on SOI无源工艺、90nm SOI有源工艺和SiN on SOI有源工艺。具体工艺能力如下：
01.90nm SOI无源工艺
目前，SOI无源集成工艺流片的最小工艺节点为90nm，具备三步硅刻蚀、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能的硅光无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
02. 180nm SiN无源工艺
SiN集成工艺流片具备LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
03. SiN on SOI无源工艺
SiN on SOI无源集成工艺流片，Si的最小工艺节点为90nm，SiN的最小工艺节点为200nm，具备了三步硅刻蚀、LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连以及深硅刻蚀等关键工艺能力。该工艺结合了氮化硅和SOI平台的优点，能够实现高性能的硅光子和氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
04. 90nm SOI有源工艺
目前，90nm SOI有源工艺流片的最小工艺节点为90nm，具备三步硅刻蚀、多步有源器件掺杂、锗外延与TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能的硅光无源、有源器件。
基本工艺能力如下表所示：
05. SiN on SOI有源工艺
SiN on SOI有源工艺流片，Si的最小工艺节点为90nm，SiN的最小工艺节点为200nm，具备三步硅刻蚀、多步有源器件掺杂、LPCVD氮化硅、锗外延与TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力。该工艺结合了氮化硅和SOI平台的优点，可实现各种高性能的硅光无源、有源器件和氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
服务流程
如有流片需求，请邮件联系商务潘经理获取PDK，欢迎垂询！
邮箱：Hongming.Pan@sitri.com
电话：13916643350
经过多年沉淀积累，上海工研院硅光平台的服务能力持续稳定提升，日趋成熟，获得了行业的高度认可。2023年，90纳米硅基光电子技术入选《2023年上海市科技进步报告》，并在2024年入选中国光学工程学会“硅基光电子三年优秀成果展”。随着强烈的市场需求，为确保每一位合作伙伴都能及时把握住研发创新的先机，我们正积极调配资源，优化流程，确保在2025年为客户提供更加紧凑、高效的流片周期。
在此，我们诚挚邀请各界同仁，无论是致力于前沿探索的学术团队，还是追求技术创新的企业伙伴，尽早规划，把握时机，加入我们的流片计划。2025年，让我们携手并进，在硅基光电子的广阔天地中，共同书写属于未来的辉煌篇章！
硅光MPW流片安排
硅光MPW流片工艺
上海工研院共提供5套硅光工艺，包括90nm SOI无源工艺、180nm SiN无源工艺、SiN on SOI无源工艺、90nm SOI有源工艺和SiN on SOI有源工艺。具体工艺能力如下：
01.90nm SOI无源工艺
目前，SOI无源集成工艺流片的最小工艺节点为90nm，具备三步硅刻蚀、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能的硅光无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
02. 180nm SiN无源工艺
SiN集成工艺流片具备LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
03. SiN on SOI无源工艺
SiN on SOI无源集成工艺流片，Si的最小工艺节点为90nm，SiN的最小工艺节点为200nm，具备了三步硅刻蚀、LPCVD氮化硅、TiN金属加热电极、单层铝互连以及深硅刻蚀等关键工艺能力。该工艺结合了氮化硅和SOI平台的优点，能够实现高性能的硅光子和氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
04. 90nm SOI有源工艺
目前，90nm SOI有源工艺流片的最小工艺节点为90nm，具备三步硅刻蚀、多步有源器件掺杂、锗外延与TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力，可实现各种高性能的硅光无源、有源器件。
基本工艺能力如下表所示：
05. SiN on SOI有源工艺
SiN on SOI有源工艺流片，Si的最小工艺节点为90nm，SiN的最小工艺节点为200nm，具备三步硅刻蚀、多步有源器件掺杂、LPCVD氮化硅、锗外延与TiN金属加热电极、双层铝互连和深硅刻蚀等关键工艺能力。该工艺结合了氮化硅和SOI平台的优点，可实现各种高性能的硅光无源、有源器件和氮化硅无源器件。
基本工艺能力如下表所示：
服务流程
如有流片需求，请邮件联系商务潘经理获取PDK，欢迎垂询！
邮箱：Hongming.Pan@sitri.com
电话：13916643350
