消息称台积电将于年底引进High NA EUV光刻机
发布时间：2024-11-01 15:34:32 热度：285
11/01/2024，光纤在线讯，据报道，预计台积电将于今年年底从荷兰供应商ASML接收首批全球最先进的芯片制造机器，仅比美国竞争对手英特尔晚几个月。
它们被称为高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机，是世界上最昂贵的芯片制造设备，每台的价格约为3.5亿美元。台积电、英特尔和三星是目前仅有的几家仍在竞相生产体积更小、性能更强半导体产品的全球芯片制造商，他们都严重依赖ASML的设备。
消息人士透露，台积电将在本季度在其位于中国台湾新竹总部附近的研发中心安装新的High NA EUV光刻机。在新设备用于大规模芯片生产之前，需要进行广泛的研究和工程工作，但消息人士称，台积电认为没有必要急于采取行动，“根据目前的研发成果，并不迫切需要使用最新版本的High NA EUV光刻机，但台积电不排除进行全面寻路和工程工作的机会，并利用业界最先进的设备进行试运行，该公司的目标是保留所有选择。”
消息人士称，台积电可能会在推出A10生产技术后才会考虑使用这些机器进行商业生产，可能在2030年之后。据悉，A10技术比台积电计划在2025年底投入生产的2nm技术高出大约两代。
台积电方面证实，将引进这些新设备，但没有具体透露有关交付时间或投入生产的任何细节。该公司表示：“台积电仔细评估了新晶体管结构和新工具等技术创新，并在将其投入批量生产之前，考虑了它们的成熟度、成本和对客户的好处。台积电计划首先引进High NA EUV光刻机用于研发，以开发客户推动创新所需的相关基础设施和模式解决方案。”
在ASML High NA EUV光刻机采用方面， 英特尔2023年12月在其位于美国俄勒冈州的研发中心安装了第一套High NA EUV光刻机，并正在进行测试，为商业生产做准备。今年第二季度，ASML的第二套High NA EUV光刻机被运往英特尔。近日另有消息称，三星电子正准备在2025年初引入首台High NA EUV（极紫外）光刻机设备，这一发展标志着三星首次涉足High NA EUV技术。此前，该公司曾与IMEC合作进行电路处理研究。三星计划利用自己的设备加速先进节点的开发，并设定了到2027年实现1.4nm工艺商业化的目标，这可能为1nm生产铺平道路。
来源：集微网
它们被称为高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机，是世界上最昂贵的芯片制造设备，每台的价格约为3.5亿美元。台积电、英特尔和三星是目前仅有的几家仍在竞相生产体积更小、性能更强半导体产品的全球芯片制造商，他们都严重依赖ASML的设备。
消息人士透露，台积电将在本季度在其位于中国台湾新竹总部附近的研发中心安装新的High NA EUV光刻机。在新设备用于大规模芯片生产之前，需要进行广泛的研究和工程工作，但消息人士称，台积电认为没有必要急于采取行动，“根据目前的研发成果，并不迫切需要使用最新版本的High NA EUV光刻机，但台积电不排除进行全面寻路和工程工作的机会，并利用业界最先进的设备进行试运行，该公司的目标是保留所有选择。”
消息人士称，台积电可能会在推出A10生产技术后才会考虑使用这些机器进行商业生产，可能在2030年之后。据悉，A10技术比台积电计划在2025年底投入生产的2nm技术高出大约两代。
台积电方面证实，将引进这些新设备，但没有具体透露有关交付时间或投入生产的任何细节。该公司表示：“台积电仔细评估了新晶体管结构和新工具等技术创新，并在将其投入批量生产之前，考虑了它们的成熟度、成本和对客户的好处。台积电计划首先引进High NA EUV光刻机用于研发，以开发客户推动创新所需的相关基础设施和模式解决方案。”
在ASML High NA EUV光刻机采用方面， 英特尔2023年12月在其位于美国俄勒冈州的研发中心安装了第一套High NA EUV光刻机，并正在进行测试，为商业生产做准备。今年第二季度，ASML的第二套High NA EUV光刻机被运往英特尔。近日另有消息称，三星电子正准备在2025年初引入首台High NA EUV（极紫外）光刻机设备，这一发展标志着三星首次涉足High NA EUV技术。此前，该公司曾与IMEC合作进行电路处理研究。三星计划利用自己的设备加速先进节点的开发，并设定了到2027年实现1.4nm工艺商业化的目标，这可能为1nm生产铺平道路。
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