专访易缆微半导体：硅基混合集成技术提升1.6T模块性能

1/31/2024，光纤在线讯，2023年被称为“AI元年”，AI行业的崛起不仅引领了万象更新，同时也使得市场对于高速率、高带宽的算力要求迅速爆发，拉动了光通信行业的市场需求与技术提升。

近日光纤在线编辑到访了一家以开发可支撑数据中心800G/1.6T高性能、高速率、高集成度光模块内部核心产品的研发公司--苏州易缆微半导体技术有限公司（以下简称：易缆微），易缆微市场总监许广伟先生接受了我们的采访。


图片说明：易缆微市场总监许广伟先生（中）与光纤在线编辑

苏州易缆微半导体技术有限公司成立于2021年，是一家由旅欧归国博士团队创建的中外合资科技型创业公司，总部位于苏州纳米城，生产基地位于常熟高新区，并在比利时设有研发中心。

易缆微的核心技术在于充分发挥硅、氮化硅和铌酸锂等几种重要的光电子应用材料各自的优势：即基于硅材料芯片，片上同时集成具有更高通光性能的氮化硅材料和更优越线性电光效应的薄膜铌酸锂材料。基于这一技术所研发出的硅基混合集成光引擎，具备更低的调制啁啾，可实现更好的调制效率，其调制带宽可远大于67GHz；同时其具备高线性度、低损耗及低成本等优异性能，是实现未来数据中心800G/1.6T（单波速率200G/400G）高性能光模块甚至3.2T光引擎的核心技术。

许总介绍说，在混合集成技术设计中，基础平台的选择是第一要务，硅基光电子技术平台具有低成本、高集成度，以及易于规模量产的优势，是现阶段技术最成熟的基础平台，但随着数据量的爆炸性增长，行业的发展伴随着更大带宽、更低损耗的需求，氮化硅具有更高的通光性能可以承载100mW及以上大功率的光源耦合，薄膜铌酸锂则是实现低损超快光学调制的最佳材料。因此，易缆微专注于打造硅基混合集成薄膜铌酸锂技术，同时完备自主知识产权的核心混合集成工艺的芯片生产线。此前已经推出了可商用化的4*100G DR4混合集成评估版本，目前致力于推出用于800G-DR4和LPO的混合集成硅光子芯片，已与部分客户展开项目合作测试。

许总表示，近年来，薄膜铌酸锂作为新的集成光电子材料，受到了广泛的关注。相比于传统的光电材料，薄膜铌酸锂平台可以实现更高的调制效率、更好的线性度、更低的损耗，尤其在未来的800G/1.6T，甚至是3.2T硅光引擎方面具有广阔的市场应用空间。但易缆微的产品并非是纯硅光芯片或薄膜铌酸锂芯片的直接替代者或竞争者，公司的主要目的依然是在探寻硅基平台上多种材料的异质集成技术，下一步还将着力于研发除了在硅基基础上集成氮化硅端面耦合器、薄膜铌酸锂调制器外，再集成InP的PD芯片功能。可以说，对于面向未来单波200G速率以上的高带宽高速率PIC路线，易缆微是一个践行者。硅基混合集成氮化硅、薄膜铌酸锂技术应用于800G/1.6T光模块数据中心互联仅仅是一个开始，未来更多的还将面向光计算、激光雷达、生命科学等更广泛的应用。

此外，为了进一步完善硅基混合集成技术的耦合工艺，易缆微还推出了相应的无源产品线(常规和特种)：包括常规光纤阵列、模场转换光纤阵列、45度凸纤光纤阵列等特种光纤阵列，以及高精度硅基V槽、PLC耦合光器件等各类光无源产品。目前已经形成批量生产，客户遍及国内、中国台湾地区和欧美国家。