三安光电与格力电器/先导高芯签订股份认购合同
发布时间：2020-02-18 14:12:49 热度：2938
2月17日，三安光电发布公告称，公司拟以17.56元/股价格非公开发行股票不超过398,633,257股(含398,633,257股)募集资金总额不超过700,000万元，其中，先导高芯拟认购金额为500,000万元，格力电器拟认购金额为200,000万元。募集资金拟投入半导体研发与产业化项目(一期)。
根据再融资新规，公司修订非公开发行股票预案。定价方式调整为不低于定价基准日前20个交易日公司股票交易均价的80%;锁定期调整为先导高芯、格力电器认购的股票自发行结束之日起18个月内不得转让(修订前为36个月内不得转让)。
据了解，三安光电此次募集资金拟投入“半导体研发与产业化项目(一期)”(规划总投资约138亿元)。主要投向中高端产品，包括高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、车用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/红外LED、太阳能电池芯片等。
三安光电表示，随着本次募投项目的顺利实施，在前期产业布局基础上，本次募投项目的主要产品将填补国内空白， 公司提高在高端、新兴应用领域产品的产能，加快产品结构升级，提升市场份额， 顺应 LED 行业产品结构调整的发展趋势。
资料显示，三安光电主要从事化合物半导体材料的研发与应用，以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。
根据预案显示，三安光电半导体研发与产业化项目(一期)建设主要包括三大业务板块及公共配套建设，三大业务板块分别为：氮化镓(GaN)业务板块、砷化镓(GaAs)业务板块、特种封装业务板块。
本次募投项目实施后，将建成包括高端氮化镓 LED 衬底、外延、芯片;高 端砷化镓 LED 外延、芯片;大功率氮化镓激光器;特种封装产品应用四个产品 方向的研发、生产基地。其中，各业务板块具体的产能规划如下：
1、氮化镓业务板块：(1)年产GaN芯片 769.20 万片，其中：第五代显 示芯片(Mini 背光/Micro LED)161.60 万片/年、超高效节能芯片 530.80 万片/ 年、紫外(UV)芯片 30.80 万片/年、大功率芯片 46.00 万片/年;(2)PSS 衬底 年产 923.40 万片;(3)大功率激光器年产 141.80 万颗。
2、砷化镓(GaAs)业务板块：(1)年产 GaAs LED 芯片 123.20 万片，其中：第五 代显示芯片(Mini/Micro LED)17.60 万片/年、ITO 红光芯片 34.90 万片/年、RS 红光芯片 19.10 万片/年、高功率红外产品 14.20 万片/年、植物生长灯芯片 14.40 三安光电股份有限公司 2019 年度非公开发行 A 股股票预案 24 万片/年、大功率户外亮化芯片 7.20 万片/年、车用级芯片 7.00 万片/年、医疗健 康芯片 8.80 万片/年;(2)年产太阳电池芯片 40.50 万片，其中：商用卫星电池 13.50 万片/年、临近空间装置 27.00 万片/年。
3、特种封装业务板块：(1)UV LED 封装 81.40kk/年;(2)Mini LED 芯 片级封装 8,483.00 kk/年;(3)车用级 LED 封装 57.80kk/年;(4)大功率 LED 封装 63.20kk/年;(5)IR LED 封装 39.00kk/年。
从上面的介绍来看，此次三安光电募资的70亿主要都是计划投向以砷化镓、氮化镓为代表的高端化合物半导体的研发与应用。
之前，三安光电在回复投资者问题时表示，公司将巩固LED龙头企业地位，力促光电业的发展，致力于化合物半导体集成电路业务成为全球行业领先企业，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。
在氮化镓方面，三安光电表示，目前，公司氮化镓产能约2000片每月，产能还在增加。
来自：半导体投资联盟
根据再融资新规，公司修订非公开发行股票预案。定价方式调整为不低于定价基准日前20个交易日公司股票交易均价的80%;锁定期调整为先导高芯、格力电器认购的股票自发行结束之日起18个月内不得转让(修订前为36个月内不得转让)。
据了解，三安光电此次募集资金拟投入“半导体研发与产业化项目(一期)”(规划总投资约138亿元)。主要投向中高端产品，包括高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、车用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/红外LED、太阳能电池芯片等。
三安光电表示，随着本次募投项目的顺利实施，在前期产业布局基础上，本次募投项目的主要产品将填补国内空白， 公司提高在高端、新兴应用领域产品的产能，加快产品结构升级，提升市场份额， 顺应 LED 行业产品结构调整的发展趋势。
资料显示，三安光电主要从事化合物半导体材料的研发与应用，以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。
根据预案显示，三安光电半导体研发与产业化项目(一期)建设主要包括三大业务板块及公共配套建设，三大业务板块分别为：氮化镓(GaN)业务板块、砷化镓(GaAs)业务板块、特种封装业务板块。
本次募投项目实施后，将建成包括高端氮化镓 LED 衬底、外延、芯片;高 端砷化镓 LED 外延、芯片;大功率氮化镓激光器;特种封装产品应用四个产品 方向的研发、生产基地。其中，各业务板块具体的产能规划如下：
1、氮化镓业务板块：(1)年产GaN芯片 769.20 万片，其中：第五代显 示芯片(Mini 背光/Micro LED)161.60 万片/年、超高效节能芯片 530.80 万片/ 年、紫外(UV)芯片 30.80 万片/年、大功率芯片 46.00 万片/年;(2)PSS 衬底 年产 923.40 万片;(3)大功率激光器年产 141.80 万颗。
2、砷化镓(GaAs)业务板块：(1)年产 GaAs LED 芯片 123.20 万片，其中：第五 代显示芯片(Mini/Micro LED)17.60 万片/年、ITO 红光芯片 34.90 万片/年、RS 红光芯片 19.10 万片/年、高功率红外产品 14.20 万片/年、植物生长灯芯片 14.40 三安光电股份有限公司 2019 年度非公开发行 A 股股票预案 24 万片/年、大功率户外亮化芯片 7.20 万片/年、车用级芯片 7.00 万片/年、医疗健 康芯片 8.80 万片/年;(2)年产太阳电池芯片 40.50 万片，其中：商用卫星电池 13.50 万片/年、临近空间装置 27.00 万片/年。
3、特种封装业务板块：(1)UV LED 封装 81.40kk/年;(2)Mini LED 芯 片级封装 8,483.00 kk/年;(3)车用级 LED 封装 57.80kk/年;(4)大功率 LED 封装 63.20kk/年;(5)IR LED 封装 39.00kk/年。
从上面的介绍来看，此次三安光电募资的70亿主要都是计划投向以砷化镓、氮化镓为代表的高端化合物半导体的研发与应用。
之前，三安光电在回复投资者问题时表示，公司将巩固LED龙头企业地位，力促光电业的发展，致力于化合物半导体集成电路业务成为全球行业领先企业，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。
在氮化镓方面，三安光电表示，目前，公司氮化镓产能约2000片每月，产能还在增加。
来自：半导体投资联盟
