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微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产11/15/2024,光纤在线讯,当前,Flash遇到制程微缩瓶颈,大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAMIP,成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。 近日,北京经济技术开发区(北京亦庄)显示高技术企业宣布全球首款应用28nmRRAMIP的......
2024-11-15 14:27:47
中科院微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展
中科院微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展11/08/2024,光纤在线讯,环栅晶体管(GAAFET)与传统FinFET工艺流程相比,引入了内侧墙(innerspacer)、沟道释放(channelrelease)等工艺,必须通过对叠层结构的精确横向刻蚀来实现。高精度刻蚀工艺控制是三维集成电路制造面临的最大挑战之一,其工艺机理和调控机制在科......
2024-11-08 11:29:51
微电子所在795nm窄线宽VCSEL方面取得新进展
微电子所在795nm窄线宽VCSEL方面取得新进展9/24/2024,光纤在线讯,垂直腔面发射激光器(VCSELs)具有体积小、阈值电流低、波长随温度稳定、圆形光束和高可靠性等优点,是原子钟、原子磁力仪、原子陀螺仪等核心光源。但传统VCSEL的光谱线宽较宽,一般为50-100MHz,无法与自然原子线宽(铯为5MHz)匹配,限制了原子传感系统性能的进......
2024-09-24 16:02:30