IT商业新闻网：中移动急推LTE终端违背科技规律

12/7/2011，【IT商业新闻网讯】（记者 靳远）中国移动TD-LTE的发展一直呈加速状态。

　　继中移动完成上海、广州等六城市的TD-LTE测试后，从今年十月起，中移动第二期TD-LTE规模试验也已开展，范围得到扩大，到明年6月时，可正式投入商用。除此之外，IT商业新闻网记者得知，中移动将在今年年底推出TD-LTE多模数据卡或双待手机。

　　中移动董事长王建宙此前曾多次在公开场合说过“TD-LTE网络发展已经成熟”的话。但由于受芯片因素影响，TD-LTE终端的发展却始终缓慢，成为了这个准4G制式发展的掣肘。而终端的芯片问题就是其中的一个重要挑战。大唐电信(600198,股吧)副总裁陈山枝就认为：“从TD-SCDMA产业化经验来看，目前我国TD-LTE多模多终端芯片仍处于前期开发阶段。”

从此前3G竞争的趋势可感觉到，在LTE时代，电信运营商若想占得先机，终端仍然是在竞争中取胜的关键。

　　中移动副总裁李正茂对此表示，终端是产业成熟的标志，特别是智能手机才能让使用量真正上去，而智能手机如果要有很大的规模使用量，一定要有很好的芯片，把现在的3G和2G制式都囊括进来。这存在着很大的难度。

　　确实，国内TD-LTE终端芯片还远未达到成熟阶段。目前虽然有十多家芯片厂商投身TD-LTE产业，但仅有海思、创毅视讯和 Altair三家通过测试。

　　易观商业解决方案公司IT业务中心咨询总监吕永昌表示，虽然TD-LTE获得了不少企业的积极介入，但其整体水平依然不够理想。频谱过于分散意味着用户要实现较好的漫游服务，就要求芯片和终端必须能够支持多个频段。而多频段会带来产品耗电量提升，芯片尺寸过大、成本过高等问题，且目前可选的LTE智能手机范围很少。

　　这些观点颇具代表性。终端与用户有着密切的联系，待芯片等难题解决后，用户规模就会快速增长。
　　4G时代的到来取决于整个产业链是否成熟得足以支撑其发展。手机的基础是芯片，芯片遵循摩尔定律，以现阶段65-45纳米水平的芯片只能作出4G数据卡，要想用于4G手机，为满足性能和功耗的指标，可能要等2013-2014年达到32-28纳米商用芯片时才有可能。违背科技规律的做法只会带来拔苗助长的严重后果。

　　但如何解决却有着不一样的说法。四川通信设计院副总工程师程德杰博士就表示，TD-LTE终端芯片的性能并未获得充分检验，潜在的问题尚未被发现。在没有形成规模的情况下，芯片的制造成本无法得到降低，这也会让终端的价格居高不下，从而影响TD-LTE的推广。

　　按照中移动的规划，除年底前推出多模数据卡和双待手机外，明年下半年将陆续推出多款多模多待手机终端。李正茂曾表示，“最晚到明年三季度（TD-LTE）就可商用”。

　　知名TD专家李进良教授告诉IT商业新闻网，TD-LTE从系统理论可行到商用可行，从终端芯片成熟到智能手机商用，仍需至少三年左右的时间才有望大规模商用。

　　“4G什么时候到来？这取决于整个产业链是否成熟得足以支撑其发展。手机的基础是芯片，芯片遵循摩尔定律，以现阶段65-45纳米水平的芯片只能作出4G数据卡，要想用于4G手机，为满足性能和功耗的指标，可能要等2013-2014年达到32-28纳米商用芯片时才有可能。违背科技规律的做法只会带来拔苗助长的严重后果”，李进良教授指出。

　　程德杰博士认为，TD-LTE终端发展，应以符合市场需求为基本途径，做到循序渐进，初期应用，仍应以数据卡应用为主，以验证技术，保证高端用户的数据应用感知，解决目前3G应用热点地区，移动数据带宽枯竭的问题；应始终坚持走多模路线，以保证用户终端在多个制式的网络内都能够使用和漫游，这样可以借鉴FDD-LTE技术的发展成果，有效降低成本，保护运营商在3G时代的投资。