听蓝光之父谈蓝光想到的

 
     5/6/2008，(作者:光纤在线特邀编辑 宋军博士)前不久，跑到材料系听了一个关于GaN材料的报告，主讲人是大名鼎鼎，被誉为蓝光之父的Shuji Nakamura（中村修二）。第一次听说这个名字还是在本科上一门叫固体光谱学的课，听授课老师谈到的。那个老师谈到当时世界上好多人搞蓝光，可是都不成功，唯独被一个不出名的小公司的一个小人物搞出来了，一下子轰动了世界，并在06年被授予120万美元的技术大奖，那个人就是中村修二。
        报告历时两个小时，系统讲了他的工作过程和现在的一些研究情况。坦率的说，这个报告并不精彩，甚至有点枯燥，特别是他在描述自己成就时用了一个词，让我和我的同学面面相觑。他说之前他一直默默无闻，可是自从93年他发表了一篇文章后，到了95年，他成了世界上一个“famous”的研究员。呵呵，我们还是第一次听到有人在公开场合用famous这个词形容自己的呢。由此可以看出，Nakamura教授其实是一个纯粹的研究者，并不善于演说。也许只有这样的人才能默默的去搞研究吧。
        回想当年，Nakamura说到，在1989年他开始搞GaN时，世界上有ZnSe和GaN两种材料可能被用于制作蓝光LED，显然那时候前者是主流，全世界搞ZnSe的研究者超过一万人，而当时搞GaN的全世界不到10个人。原因是高质量的GaN晶体很难获得。而Nakamura说他之所以选择GaN作研究目标，而不是更流行的ZnSe，理由似乎有点滑稽，因为搞GaN的人少，因此更容易写论文。Nakamura说那时那刻，他自己怎么也没想到，会是他基于GaN发明了蓝光LED，在一个小公司，非常少的预算，就他一个研究员。
        Nakamura在1989年开始蓝光研究，在1996年达到巅峰。细看他的研究成果，还真算得上硕果累累，按照年头划分简单总结如下：
        1990年，Nakamura先对GaN生长工艺MOCVD做了改进，提出了双流送气法；
        1992年，他用改进的MOCVD去生长p型GaN，通过热退火工艺，消除了氢钝化的影响；
        1992年，他成功生长出了高质量InGaN单晶层；
        1993年，Nakamura制作出了世界上第一个蓝光GaN的LED；
        1995年，为提高发光效率，他基于多量子阱结构，制作了世界上第一个脉冲式的InGaN LD；
        1995年，没过多久，他又制作出了世界上第一个连续光发射的InGaN LD；
        1996年，Nakamura又率先制作了高亮度的白光和绿光LED。
        很遗憾，在96年后，Nakamura就像他自己形容的，享誉世界了，而就从这一年开始，他也再没有什么特别的研究成果问世了。但从上述研究成果可以看出，这是一个持续，有系统的工程，先解决工艺难题，改进了仪器装置，为单晶生长创造条件，进而制作了蓝光LED，接下来的工作是要提高发光效率，于是考虑结合量子阱结构，这些都做完了，就想到去搞绿光和白光。从这个过程我不由得想到了我国现在的研究现状，真的有些浮躁，现在很多中国的研究者习惯跟着世界上时髦的课题走，急于发一些论文，但却没形成自己的体系，更谈不上自主知识产权的创新。听了这个报告最大的收获，也许不在了解蓝光本身，而是学会了如何去搞研究。踏踏实实很重要，先着手解决最基本的问题，再一步一个脚印的去搞应用吧。