英国利兹大学ULPI技术让PIC发展更快

1/27/2015, Lightreading报道，英国利兹Leeds大学Gin Jose教授团队开发的超快激光等离子植入技术（ULPI）有望让PIC光子集成技术更加成熟。
Jose教授指出，传统的PIC技术在硅或者玻璃的掺杂浓度上有根本的限制。举例来说掺铒光纤通常要足够长才能达到足够高的放大倍数。如果要把掺铒光纤放大器做小，你就需要很高的掺杂浓度。他们的ULPI技术就是可以实现高浓度的掺杂。
所谓的ULPI技术，采用了高功率的短脉冲激光在植入材料上产生高能等离子，然后再植入到目标材料中。新合成的材料就可以用来制造新一代PIC。按照Jose教授的解释，激光把很高的能量带到植入材料，在表面形成一层原子层并形成可见的等离子体，并以气雾的方式植入要加强的材料中。
Jose教授说，基于他们的技术，单一PIC芯片上可以实现多个多个放大器。比如将分路器和放大器集成到一起用于接入网络中，可以大大提升接入网的性能。他认为这种技术将会对光网络带来深远的影响。最早2017年到2018年基于这种技术的PIC产品就会商用。目前他们已经在和约克大学和Sheffield大学展开硅光连接器件以及新型光源的合作研究，并和剑桥大学开展系统级的聚合物互联及传感器测试工作。
Jose教授去年12月已经获得520万英镑资助建设一个实验性制造中心来发展这种技术。其中370万英镑来自英国的工程和物理科学研究会EPSRC。这个中心预计在一年内可以建成。
除了PIC，ULPI技术还可以用于加固手机屏幕，制造生物传感器材料，打造新型防伪技术等等，不过其主要目的仍然是PIC。
关于这项技术更多内容可以浏览http://www.leeds.ac.uk/news/article/3645/manufacturing_project_aims_to_take_it_beyond_the_electronic_age