SiFotonics市场VP谈硅光子探测器五大优势

10/21/2014,昨天在上海漕河泾，编辑遇到硅光电子技术的国际领先公司SiFotonics的光业务市场VP黄水清和销售/营运VP刘华博士。他们向编辑介绍了SiFotonics在硅光子探测器领域的新进展。

    今年3月的OFC上，编辑曾经采访SiFotonics的CEO 潘栋博士(http://www.c-fol.net/news/content/5/201403/20140325162747.html)。潘博士当时重点向编辑介绍该公司基于锗硅材料的硅光PD和APD产品。那次采访令编辑印象最深的就是SiFotonics的团队在研发硅光子器件方面的深厚背景，以及潘博士对硅光子器件的信心。
也是在OFC上，SiFotonics曾经向编辑透露他们的硅光探测器在国内10G 光模块市场上的进展。这一次遇到SiFotonics的两位高层，他们告诉编辑，目前公司产品在市场上的进展令人满意，部分产品已经进入批量供货阶段。

    相较于传统InP器件，硅光探测器的短板正在被补足，优势正在逐步凸显。黄水清告诉编辑，在他看来，硅光子探测器至少具有五大优势。第一，增益带宽性能突出，尤其是在高速应用下。未来的25Gbps速率应用中，硅光子探测器的灵敏度优势会更加明显。这得益于硅材料优异的雪崩特性所带来的极低噪声。第二，对于困扰现在许多光器件厂商的气密封装问题，锗硅材料不存在InP材料的怕水汽问题，可以在很大程度上降低光器件对封装的气密性要求。第三，基于半导体CMOS工艺的锗硅探测器一致性更好，这也是原先InP器件所不足的。第四，批量成本低，这是硅光子技术发展动力。第五，硅晶圆机械特性很好，成品率高，适合大尺寸阵列和未来的光集成。实际上，第三条一致性和第五条，都是针对阵列和集成应用。黄水清告诉编辑，虽然基于锗硅工艺的硅光子探测器的性能和InP材料探测器还有点细微差别，但是在实际应用中已经可以忽略不计，而这些器件的独特优势却是InP材料器件所不具有的。这也是SiFotonics获得客户更多认可的根本原因。

    刘华博士告诉编辑，SiFotonics的技术源于MIT，总部设在美国Boston，主要团队包括了多名国内外业界精英。在SiFotonics内部，有着浓厚的研发氛围，他们经常会为器件性能的点滴进步而欢呼庆祝。成立7年以来，SiFotonics的硅光子器件的性能一直在稳定提升，所开发的10G和25G产品全线接近或达到传统的InP探测器水平，部分产品性能已经实现超越，例如1310nm波段的10G/25G PIN-PD/APD。刘博士说，Sifotonics从成立之初就致力于硅光电子的集成，也开发了在硅上生长激光器的专利技术。但为了让硅光电子尽快进入实用，SiFotonics同时也注重分立器件，尤其是锗硅探测器的开发和产品化，，这一策略在市场上已经获得了积极反响。刘博士说，有为了开发出性能最佳的锗硅探测器，以及保证批量生产能力，SiFotonics还耗巨资投资了专门的设备。技术优势，投资优势，市场优势，已经让SiFotonics至少领先对手2年以上。

    在今年9月召开的ECOC会上，SiFotonics介绍了全球首个1310nm 25Gbps基于CMOS工艺的锗硅材料垂直入射的APD产品，性能达到国际领先水平，得到了国际与会专家和业界人士的高度评价。这篇文章正是SiFotonics在硅光子探测器领域领先实力的真实体现。