英国HiLight 半导体获得177.4万欧盟资助发展100Gbps CMOS芯片组

9/19/2016, 英国南安普顿的模拟和混合集成CMOS芯片开发商HiLight半导体今天宣布获得欧盟177.4万欧元资助用于开发超低损耗的100Gbps传输用芯片。这些芯片将主要针对数据中心市场应用。HiLight半导体表示，他们将首先使用这笔资金用于扩建南安普顿以及Bristol的研发队伍，并用于帮助开发100Gbps接收PMD芯片（TIA, LA和CDR）和发射端PMD(驱动和CDR)，预计这些芯片明年年初可以开始提供样品。HiLight表示乐于就此领域开展同业内厂商的合作。

根据市场调研公司LightCounting的数据，100Gbps数据中心传输市场正在不断升温，超级数据中心需要尽一切努力降低功耗。HiLight的COMS解决方案是一个很好的降低功耗的选择。

HiLight的100Gbps芯片基于此前该公司在10Gbps SFP+芯片组上的工作，包括了HLC10V0 组合式11.3Gbps VCSEL和DML驱动芯片，并集成了限幅放大器以及HLR10G0 12-Gbps TIA芯片。这两款产品都已经量产。HiLight的用于10G PON的HLR10G1 11.3Gbps APD TIA目前也在接收样品申请。

HiLight半导体成立于2012年，由风险投资创立，截至目前已经销售1500万片IC，并在年底前有望达到2000万片。