OIF 专家在 DesignCon介绍CEI-112G标准进展

1/23/2019, 光纤在线美国Fremont消息，在本月29日到31日于美国Santa Clara举办的新一届DesignCon大会上，一组OIF专家将会介绍和讨论进行中的关于CEI（通用电气输入输出）-112G接口的工作。1月31日下午3点45分，OIF专家将会围绕CEI-112G MCM, XSR, VSR, MR以及LR等进行分享。参加讨论的OIF专家包括来自Kandou Bus的Brian Holden，博通的Cathy Liu,Keysight的Steve Sekel以及TE Connectivity的Nathan Tracy，他也是OIF主席。

112Gb/s电接口的应用包括了裸芯片到裸芯片，芯片到模组，芯片到芯片以及基于背板和线缆的长距离传输等。2000年以来，OIF为CEI一直在进行互通协议IA的定义。CEI的文档定义了6Gbps，11Gbps, 28Gbps，56Gbps下互通电通道的互通接口规范，112Gbps的标准正在制定中。2016年8月，首个CEI-112G项目组成立，如今已经扩展到5个项目。

OIF主席Tracy指出，OIF以往制定的标准被广泛使用，并产生了很大的影响，被许多其他高速互通接口标准所借鉴。在112Gbps标准领域，OIF的专家将会向业界介绍这个领域的方向和挑战。

CEI-112G IA目前主要的问题在于信号完整性，实现的复杂度以及测量等问题。在高速下，信号更容易发生损害，导致串扰等现象发生。交换速度和SerDes的密度没有跟上其他领域硅芯片的进展。最后，足够精确地探测和重复捕捉这些信号也是问题。