国家信息光电子创新中心正式挂牌

4/26/2018，承载着解决我国信息光电子制造业“关键和共性技术协同研发”并“实现首次商业化”战略任务的国家信息光电子创新中心在武汉烽火科技园正式授牌。该中心将成为推进“中国制造2025”在信息技术产业领域实现落地，破解我国信息光电子“缺芯少魂”局面，保障国家安全的主体力量。国家信息光电子创新中心是中国制造2025全国正式授牌的第二批创新中心，同时也是湖北省获得的第一个国家制造业创新中心。

    作为光通信系统的“心脏”，信息光电子堪称信息通信的核心和基石，是全球信息通信价值链的高端和关键领域，亦为网络强国建设的“国之重器”。信息光电子也是继微电子之后再次推动人类科学技术进步的关键产业，将在未来光存储、光显示、光互联、光计算，以及医疗卫生和航天、国防等领域的发展中发挥重要作用。

    基于湖北在信息光电子完备的产业和科技人才优势，国家信息光电子创新中心最终落户武汉。2016到2017年，武汉光电子企业销售规模逾万亿元，是国内最大的光电子信息产业集群，创新中心牵头单位、烽火科技下属的光迅科技是国内第一、全球前五的光电子领先企业。同时，武汉汇聚了42所高等院校、56个国家省部级科研院所，拥有着包括60余名两院院士以及从研发人员到技术工人全产业链的成熟人才队伍。

    国家信息光电子创新中心以湖北省信息光电子创新中心为基础而建立。2017年10月，作为湖北省制造强省的支撑项目，由烽火科技集团下属光迅科技牵头组建的湖北省信息光电子创新中心正式成立，湖北省信息光电子创新中心以“企业为主体，以市场为导向，产学研用融深度融合”为理念进行建设。2017年7月，“信息光电子制造业创新中心”方案研讨会在中国工程院成功召开，国内信息光电子行业11位院士及相关专家、股东单位、共建单位齐聚一堂进行了热烈研讨；2017年10月18日，国家信息光电子创新中心建设方案专家论证会在北京召开，与会专家就国家信息光电子创新中心的定位功能、运行机制和建设目标等进行了深入讨论，并一致认为湖北武汉具备建设国家信息光电子创新中心优势和条件，同意通过信息光电子创新中心建设方案论证。随后，国家信息光电子创新中心获得工业与信息化部正式批复。

     国家信息光电子创新中心建立了现代化的企业法人制度，充分发挥市场在资源配置中的作用。该中心目前建设有“创新中心总部、芯片技术部、器件技术部和集成光电部”。依托光迅科技领先的芯片平台、光通信技术和网络国家重点实验室两大技术平台，该中心组成创建了光电芯片工艺平台和光电集成研发平台（硅光平台、高端器件验证平台），形成了从材料生长、芯片后工艺、光子集成、光电集成、高速系统硬件试验测试的高端工艺和测试的技术平台。同时，国家信息光电子创新中心组建了包括10名院士专家和17名行业专家的委员会，建立了市场化的项目运作和管理、知识产权归属及技术成果转化机制，成立以来已经实施了硅光技术转移扩散，在III-V族高端光电芯片技术和工艺以及硅光集成芯片设计和测试方面、高速光系统设计和验证方面拥有强大的创新能力，对信息光电子领域产业技术创新形成了重大影响。

    国家信息光电子创新中心的正式授牌，标志着该中心全面转入实质性运营阶段，也象征着我国光通信行业强“芯”之旅正式起航。面向未来，国家信息光电子创新中心致力于汇聚行业优势创新资源共建信息光电子产业创新平台，聚焦实现面向新一代网络、数据中心光互联、5G及接入等信息光电子应用领域，在高端材料生长、核心芯片工艺、先进封装集成等方面突破关键技术和共性技术瓶颈。力争通过3-5年建设，建成国际一流的信息光电子制造业创新平台，推动核心光电子芯片和器件行业供给率超过30%；力争到2025年，实现核心光电子芯片和器件实现自主可控，通过政府牵引、企业主导、高校和科研机构支持，集聚行业优势资源，形成“产学研用融”合作共赢的创新生态系统，打通先进制造技术从基础研究到应用研究、首次商业化和规模化生产的创新链条，促进行业关键共性技术向规模化、经济高效的制造能力转化。