SiFotonics面向下一代数据中心推出400G DR4及100G DR1集成芯片

4/24/2018,国际领先的硅光技术公司之一SiFotonics近日正式推出面向下一代数据中心的400G DR4硅光全集成芯片MP5041，及单通道100G DR1集成芯片MP5001。

面向400G DR4的MP5041芯片集成了超过30个有源/无源硅光器件（包括4通道53GBaud硅基MZ调制器，4通道53GBaud波导Ge/Si探测器，光功率监控探测器，在片负载，在片电容，以及多个无源波导器件等）。这款高度集成芯片的整体面积在几十mm2量级，满足下一代400G小型化模块（如QSFP56-DD, COBO等）的尺寸需求。这种高集成度解决方案将为数据中心400G传输带来封装难度和成本的大幅下降，这对400G的大规模商用至关重要。

MP5041芯片中的硅光调制器采用了SiFotonics的最新结构设计和优化工艺，插入损耗和驱动电压均较低，器件的高带宽特性使得在高速工作时仍能保证较大的消光比，所有重要指标满足400G DR4模块发射端应用要求。下图是该调制器50G的NRZ光眼图：


           测试条件: Vpp=3V, 50Gb/s NRZ, RT

此外，该集成芯片中探测器也采用了SiFotonics的最新波导探测器设计，同时实现了高带宽、高响应度和低暗电流，所有重要指标满足400G DR4模块接收端应用要求。下图是该探测器S21曲线：

           测试条件:-13dBm, 50-Ohm load, RT

除了4通道集成芯片以外，SiFotonics也同步推出了单通道100G DR解决方案MP5001。该芯片集成了单通道53GBaud硅基MZ调制器和单通道53GBaud波导Ge/Si探测器，以及相应的有源/无源硅光器件。该芯片将助力100G DR在数据中心和5G无线传输中的应用。

随着数据中心100G的大规模应用，400G的大规模应用就在2019-2020左右发生。SiFotonics CEO潘栋博士表示：“由于硅光的特性，例如缺乏激光器和较大的调制器损耗，一开始，我们布局于开发高灵敏度探测器的制作来弥补硅光器件的损耗要求。现在，经过十年的原创积累，我们的北京团队和半导体CMOS厂紧密合作，走出一条新路，已全面掌握了材料、光器件设计及制作工艺（包括完整的PDK），特别是光集成芯片的集成技术。自有的芯片设计到流片，可在3个月左右完成，使得我们可以在过去一年中相继推出国际领先的56GBaud高灵敏度APD芯片，100G/400G 相干接收机，现在又推出针对400G的DR4芯片。我们认为在400G数据中心和相干技术的应用上，硅光的优势会十分明显，硅光技术的大规模应用会很快到来。”

关于SiFotonics：
SiFotonics Technologies是国际硅光子器件与集成技术的开创者与领导者，为客户设计、制造和提供下一代高速光电集成解决方案。自2006年以来，公司一直致力于硅光子技术的研发与产品化，与CMOS Foundry合作开发专属硅光产线。SiFotonics已实现锗硅光电探测器 (Ge/Si PIN)、锗硅雪崩光电探测器 (Ge/Si APD) 等产品的量产化，现已向市场全面推出10G/25G/56G PIN和APD芯片及其阵列，覆盖波长范围850nm~1577nm。目前该产线也已完成硅光子集成技术的相关工艺调试，并成功试产高性能100G相干接收机芯片CR4Q01。