12/13/2016,武汉市科技局组织有关专家对武汉市光电工业技术研究院和优炜星公司共同承担的武汉市科技局高新技术成果转化及产业化重点项目“高效率AlGaN基紫外UV-LED器件产品封装关键技术研发及中试”进行了结题验收。专家组认真听取了项目负责人的项目执行情况汇报,并对项目各项经济技术指标进行了验收考核,专家一致认为,项目各项指标均达到合同要求,顺利通过验收。
本项目从UV-LED芯片优化、封装材料和封装结构设计入手,针对超高辐射照度工作所需的高散热要求,以及长时间强紫外照射、温度变化大等严苛环境下紫外LED的发光出光效率、可靠性和寿命较低等问题,开展了完善优化紫外LED外延芯片制备技术、高反射率高散热性能陶瓷基板、高导热热介质材料、和低热阻器件封装结构的设计及倒装焊封装技术等研发工作。并成功利用已建成的中试线将研发技术导入到了产品生产过程之中,有效提升了产品性能,申请并已授权国家专利6项,相关经济和技术指标均达到项目任务书要求,受到了专家们的一致好评。
优炜星科技有限公司,作为国内唯一一家UV A/B/C全波段、全产业链、掌握核“芯”科技的企业,拥有数千平方米千级洁净厂房,外延生长、器件制备、测试老化等全套专业设备,国际领先的技术研发能力和成熟的生产工艺。公司将继续加大研发投入,不断提升研发水平,致力于打造成为全球UV LED核心器件、高密COB光源产品的顶尖供应商。
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