SiFotonics硅光子技术获得突破性进展APD性能全面超越III-V族

SiFotonics公司最近在硅光电子领域中取得了决定性的突破：SiFotonics研发的正面入射型高速锗硅雪崩二极管(APD), 在几乎所有的通信波段的性能全面超越传统III-V族材料APD（例如，10G Ge/Si APD ROSA在1310nm和1550nm灵敏度达到了-29.5dBm），这是硅光有源芯片里程碑式的进展。下图是Ge/Si 10G APD的灵敏度测试结果：


SiFotonics Ge/Si APD是一款技术革命性产品，目前, SiFotonics Ge/Si APD性能迅速得到了来自美国，中国和日本光通信公司的认可。公司CEO潘栋博士谈到："近十年来硅光技术一直非常火热，虽然硅光产品有明显的成本优势，但市场占有率很低，其根本原因是硅光产品和传统III-V族产品过去在性能上有一定的差距。 由于高性能APD芯片是光通讯领域用量最大的产品之一, 因此SiFotonics Ge/Si APD性能上的突破性进展，意味着硅光产品开始大规模的进入光通讯领域, 例如光纤到户, 100G/400G云计算数据中心等。因为硅光芯片, 很适合大批量规模生产, 我们期待在未来几年里会在市场上迅速占有大量的市场份额”.  

 

SiFotonics作为硅光领域中的国际顶尖公司之一，在过去八年中, 一直致力于高速Ge/Si器件和光电集成器件的研发和生产。该公司的高速Ge/Si雪崩二极管是由国际一流CMOS Foundry代工生产，保证了其良好的可靠性，良率，重复性和一致性。

 

”高性能硅光APD芯片的引入, 不仅对传统的光通信市场是利好, 更可以加速目前硅光集成芯片在100G/400G, 例如PAM4,PSM4上的市场化步伐”, 公司的中国市场VP黄水清补充说, “ 公司预计明年推出量产版的100G的光电集成芯片”.