日本EpiPhotonics 推出基于铁电材料纳秒级光开关

12/17/2013, 日本光器件开发商EpiPhotonics日前开发出基于锆钛酸铅镧陶瓷( PLZT Pb,LA)(ZrTi)O3）材料的8x8 PLZT 光开关和20ns切换速度的阵列VOA产品。该公司同时推出改进的内置具有更低损耗的tapered波导结构的纳米级PLZT光开关。
EpiPhotonics表示PLZT材料支持纳米级的开关速度，对偏振不敏感，同时功耗非常低，没有可移动的部件。基于这种技术的光开关的切换速度可以达到业界最高水平。这种纳秒级器件的用途包括了数据中心的低延迟光开关，ROADM以及交叉互联产品，SDN以及分组光网络，光突发交换和量子光子学研究等。
百度百科的说法是PLZT光学特性可被电场或者通过拉伸或压缩而改变。目前EpiPhotonics已经开始出货带有TTL控制的1x1, 1x2, 1x8, 1x16, 2x2, 4x4和8x8各类PLZT光开关。