WTD喜获2012年度国家技术发明奖

1/25/2013,一年一度的国家科学技术奖励大会于1月18日上午在人民大会堂隆重举行。由WTD和清华大学合作完成的高速分布反馈半导体激光器及其与电吸收调制器单片集成光源项目，获得了2012年度国家技术发明奖二等奖，突显了WTD在该国内该领域最强实力的地位。

   WTD从10年前开始，与清华大学共同承担国家863计划至今，依靠产学研用的联系与互动，相互支撑、协同创新，WTD作为技术创新的主体地位逐步确立，在国内首先实现了通信高端芯片、2.5G DFB的大规模量产。WTD长期在芯片研发上的投入体现了企业作为光通信器件国内龙头的责任感。与此同时，多年对高端芯片的投入为企业自身也带来了更强劲的市场优势。以2012为例，WTD自制DFB产能达到50万/月，预计到2013年，年产能将突破800万。

   目前已有4000多平米的厂房专门生产中国芯，10G 40公里以内的芯片以及PON 系列产品的芯片均可批量生产，并且自制能力正在不断提高，未来40G/100G的发展也会往“中国芯”走。未来，WTD将继续对芯片的研制提供强大的保障，WTD对芯片的关注和倚重是战略性的，公司每年将收入的10%投入到研发和设备中，而芯片的投入占据其中的60%-70%。

   此次获得国家科学技术发明奖的殊荣，是光通信产业做为国家战略性地位的显现，是对WTD长期以来重视核心技术、打造核心技术、精于核心技术的肯定与褒奖。未来，WTD将继续紧握“中国芯”这条企业发展的命脉，勇担国家重任，谨记民族使命，以更前端、更高端的视角服务于市场，引领我国光通信产业向尖端化、国际化发展。