英特尔利用硅开发出40Gbps光调制器

7/31/2007，日经BP社报道，英特尔宣布，利用硅开发出了40Gbps的超高速的光调制器。该公司曾于2005年5月利用硅开发出了10Gbps的光调制器。今后，该公司还计划将25个40Gbps光调制器集成在一枚芯片上，实现1Tbps的传输容量，以用于超级计算机的板卡间通信等。 
　　新产品为MZI型，这与该公司05年发布的10Gbps光调制器相同，不过此次“通过调整行波电极的设计，实现了40Gbps的调制”（英特尔）。行波电极是在光和高频电信号前进的方向上，根据相位在一定距离设置的相互作用电极。其特点是调制效率高，易于实现高速化及低压驱动。 
　　英特尔已经将采用上述光调制器实现的30Gbps调制成果发表在了2007年1月22日的光通信技术学术杂志《Optics Express》上。并在2007年7月8～11日于美国犹他州举行的国际会议“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上，宣布传输速度达到了40Gbps。