10/20/2003,深圳飞通光电股份有限公司10.5期间承担的国家"863"项目"10gb/s光接收组件"子项10ghz pd芯片目前又取得重大进展,在期间10ghz pd芯片的基础上(主要是偏置电压较高,约10v),通过优化外延材料结构,目前又成功研制出低偏压下使用的实用化10ghz pd芯片,该芯片用同轴耦合封装形式做出的测试器件,用8703光波元件分析仪测试,在3v偏压下的3db带宽达到10ghz。芯片其它主要技术指标见下表;响应度大于0.75a/w,暗电流小于0.5ha,击穿电压30v以上。芯片带宽受封装影响,实际裸芯片的带宽优于测试值。该芯片主要用于10gb/s的光接收组件,也可用于其它高速光信号处理。
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