IBM日前宣布,其研究人员采用130纳米1.5V CMOS工艺集成了一片10Gbps的硅光电检测器,打开了一条芯片到芯片和板到板光互连的通途。光电检测器最终可用于芯片级互连,到2010年,当处理器的时钟频率超过11.5GHz时,光互连可能会用来避免芯片到芯片和片上瓶颈。
在2003年VLSI技术论坛上,IBM沃森研究中心研究人员Min Yang介绍了单片式集成光电检测器,实现比以往所讨论的硅光电检测器要高很多的数据检测率10Gbps。Yang表示,该检测器工作电压也小很多,仅为1.5V。一打或更多的光电检测器可集成为一个单一器件,面积为16x15平方微米,用于并行数据链接。检测器最初可用于服务器之间的高速数据通信。
她表示,由于该检测器是按常规硅CMOS工艺加工的,与砷化镓检测器的成本相比,缩减幅度相当大。Yang指出,该方法的关键所在是深侧向沟道,与IBM嵌入DRAM技术里所采用的高平面率(high-aspect-ratio)沟道相类似。(电子工程专辑)
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