安捷伦推出6 GHz增强模式PHEMT FET

    --新型场效应管实现了更高的信道容量，保证了更高的可靠性，其微型LPCC封装形式则节约了宝贵的电路板空间
    8/11/2003，北京-安捷伦科技（Agilent Technologies, 纽约证券交易所上市代号：A）日前宣布，推出最高线性度的E-pHEMT (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管) 场效应管 (FET)。这款产品采用了新型低热电阻的微型2 mm x 2 mm 的8针LPCC（无引线塑料芯片载体）封装形式。
    安捷伦的 ATF-501P8单电压E-pHEMT是为应用于发射功放器和接收低噪声放大器等产品中而优化开发的。这些器件被广泛应用于蜂窝/PCS/WCDMA基站、近地轨道卫星系统、陆地多信道多端口分布系统(MMDS)、无线局域网(WLAN)、无线本地环路(WLL)、固定无线接入及工作频率在50 MHz - 6 GHz之间的其它服务中。
    在2 GHz的单电压操作时，安捷伦的ATF-501P8提供了 +45.5 dBm三阶输出拦截点(OIP3)，从而实现了更高效的多信道放大器，可以处理更多的语音和数据信道。其23 ºC/W 的低热电阻（传统的LPCC封装的同类产品为33 ºC/W），使得安捷伦的ATF-501P8能够在周围温度达到 +85° C时散发出不到2 W的热量，从而使芯片可以保持正常的温度，进而保证芯片的工作具有更高的可靠性。ATF-501P8在2 GHz时提供了+29 dBm的线性输出功率(P1dB)、15 dB的增益和65% 的功率加效率(PAE)，同时实现了1.0 dB的低噪声系数。其体积小巧，尺寸仅为2 mm x 2 mm，节约了宝贵的印刷电路板空间。
    安捷伦一直是业内唯一提供具有单电压操作能力的E-pHEMT器件的厂商。由于具有低单电压操作、高功率效率和卓越的RF性能，安捷伦的E-pHEMT器件是替代噪声系数较高的单电压HBT及传统的双电压PHEMT和GaAs HFET (同构FET)器件的理想选择。