英特尔发布基于300mm 硅光平台的8通道DFB阵列

6/29/2022，光纤在线讯，今天上午，在硅基光电子的微信交流群里，英特尔研究院的资深首席工程师荣海生收获了无数的点赞。因为也是在今天，英特尔研究院宣布展示了完全集成在硅晶圆上的八波长分布式反馈（DFB）激光器阵列，输出功率均匀性达到+/- 0.25分贝（dB），波长间隔均匀性到达±6.5%，均优于行业规范。

在英特尔发布的新闻稿中，荣海生表示：“这项新的研究表明，均匀密集的波长和良好适配的输出功率是可以同时实现的，最重要的是，能够利用英特尔晶圆厂现有的生产和制程控制技术做到这一点。因此，它为下一代光电共封装和光互连器件的量产提供了一条清晰的路径。”

一直以来，在硅光发展以及CPO光电合封领域，因为硅本身不是发光材料，光源的问题如何解决被认为是一个难点。英特尔公司至今是业内唯一坚持发展内置的硅基上混合集成的激光器的公司，而不是采用外部光源。这一次，英特尔一下子展出了集成在硅晶圆上的八个波长的DFB阵列，当然震动了整个行业。

英特尔的方案中采用了8个微环调制器。微环调制器既做调制器也做Mux/Demux，另外混合集成InP半导体激光器。这一八波长分布式反馈激光器阵列是在英特尔的商用300 mm混合硅光平台设计和制造的，此项创新被认为实现了大型CMOS晶圆厂激光器制造能力的重大飞跃。

在这项研究中，英特尔使用了先进的光刻技术，以在III-V族晶圆键合制程前完成硅片中波导光栅的配置。与在三或四英寸III-V族晶圆厂制造的普通半导体激光器相比，这项技术提高了波长均匀性。此外，由于激光器的高密度集成，阵列在环境温度改变时也能保持通道间距的稳定。

英特尔公司指出，八波长集成激光器阵列制造技术的许多方面正被英特尔的硅光产品部门用于打造未来的光互连芯粒。这一即将推出的产品将在包括CPU、GPU和内存在内的各种计算资源之间，实现低功耗、高性能、太比特每秒的互连。对实现光互连芯粒的大规模制造和部署而言，集成激光器阵列是缩小体积、降低成本的关键。