TI 在日本增加 200 毫米 GaN 功率半导体产能，内部产能提升四倍

10/25/2024，光纤在线讯，据semiconductor-today网站 10月24日报道，德州仪器公司 (TI) 已开始在其位于日本会津的工厂生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的产能提升，加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有 GaN 制造工厂，TI 将内部基于 GaN 的功率半导体产能提升四倍。

      TI 技术与制造高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：“凭借十多年的 GaN 芯片设计和制造专业知识，我们已成功认证了 200mm GaN 技术，这是当今制造 GaN 最具可扩展性和成本竞争力的方式，并开始在会津进行大规模生产。这一里程碑使我们能够在内部生产更多的 GaN 芯片，到 2030 年，我们的内部制造率将增长到 95% 以上，同时还可以从多个 TI 工厂采购，确保我们整个 GaN 高功率、节能半导体产品组合的可靠供应。”

      TI 声称，它目前提供最广泛的基于 GaN 的集成功率半导体产品组合，从低压到高压，以实现最节能、最可靠和功率密度最高的电子产品。

来源：邮电设计技术
参考报道：semiconductor-today.com