陕西光电子先导院亮相武汉光博会

光纤在线编辑部  2024-05-19 16:22:00  文章来源:综合整理  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:光电子先导院携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓(GaAs)IPD晶圆、氮化镓(GaN)HEMT晶圆4项成果亮相本届展会。

5/19/2024,光纤在线讯     5月16日-18日,陕西光电子先导院科技有限公司(简称“光电子先导院”)携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓(GaAs)IPD晶圆、氮化镓(GaN)HEMT晶圆4项成果亮相“2024中国光谷·光电子信息产业创新发展大会”,吸引了诸多业内人士参观、交流及洽谈业务合作。

亮相武汉光博会

        光电子信息产业是应用广泛的战略高技术产业,也是我国有条件率先实现突破的高技术产业。

        本届武汉光博会发布区域面积达20000平方米,吸引了来自全球370多个明星企业共同亮相。为期三天的大会吸引了5万名专业观众参会,20场同期活动不仅场场爆满,还吸引线上观众超过30万人次共享本次光电盛宴。
 
        作为受邀单位,光电子先导院携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓(GaAs)IPD晶圆、氮化镓(GaN)HEMT晶圆4项成果亮相本届展会,吸引了诸多业内人士参观、交流及洽谈业务合作。

        据光电子先导院技术人员介绍,“公司研发技术团队仅用了6个月的开发周期,就完成了VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆2款产品的全流程工艺开发,通过了1000H的高温高湿、高温带电、冷热冲击等可靠性测试,并发布了PDK(Process Design Kit,工艺设计套件)。这意味着公司已经具备了相应的工艺代工能力。”


 
        此外,“基于常开型 GaN HEMT 技术,公司研发技术团队还完成了器件不同技术路线工艺流程的开发;针对GaAs无源器件模型,开发了无源器件成套工艺,完成薄膜电阻、平板电容、螺旋电感等器件的建模。公司已经具备GaN HEMT 、GaAs无源器件共性基础工艺能力,正在进一步优化器件性能,可同步对接研发流片需求”,光电子先导院技术人员说。

发挥平台价值,助力新质生产力加速形成

        光电子先导院成立于2015年,专注于化合物半导体领域,经过9年的发展,该公司打造了“公共平台+专项基金+专业服务”的光电芯片创新服务生态,已经具备为光电子产业各类创新主体提供研发、中试、检测、工程化等全流程技术服务。

        据了解,光电子先导院目前拥有超百人的完整的工艺技术团队,拥有先进化合物半导体关键设备100余台(套),拥有百级到万级超洁净间8000㎡。


 
        光电子先导院总经理杨军红介绍称,“公司已经建成了4-6英寸公共服务平台和6英寸先进光子器件工程创新平台。该平台面向化合物光电芯片,基于砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、磷化铟(InP)等半导体材料,开发激光器芯片、探测器芯片工艺,为光电子产业创新企业提供研发、中试代工等业务,可满足创新主体不同的需求,以及为企业的多发展阶段提供技术服务。”

        据记者了解,光电子先导院的4-6英寸公共服务平台已聚集入驻光电子领域初创企业40余家,吸引了唐晶量子、赛富乐斯、广东致能等优秀的化合物光电芯片项目落地西安,聚拢了一批海归高端人才,“筑巢引凤”作用突出;6英寸化合物工程创新平台自2023年3月建成后继续为唐晶量子、赛富乐斯等一批优秀光电企业提供流片、测试等技术服务。

        杨军红表示,作为陕西省和西安市光子产业链“链主”企业,为进一步培育陕西光子产业竞争新优势,在“跃迁行动”的整体部署下,光电子先导院拟继续追加投资,对现有平台进行升级。一方面,拟对现有化合物光子器件中试平台进行升级扩能,新增高可靠车规级激光器芯片工艺设备;另一方面拟新建“8英寸先进硅光集成技术创新平台”,新增硅光工艺设备,开发先进硅光集成芯片工艺技术,具备硅光工艺研发、中试能力。

        平台扩能升级完成后,将实现“化合物+硅光芯片”全流程的研发、试验、中试能力,将持续解决光子产业科技成果从实验室到产业化的‘痛点’难题,将不断吸引全球光子企业聚焦陕西、扎根陕西,助推陕西千亿级光子产业创新集群加快形成,赋能新质生产力加速“跃迁”。
关键字: 先导院 VCSEL 晶圆
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