导读:这将大大推动美国拜登政府将更多人工智能(AI)芯片供应链引入本土的努力。
2/02/2024,光纤在线讯,据媒体周四(2月1日)报道,韩国芯片制造巨头SK海力士(SK Hynix)已经选择在美国印第安纳州设立先进封装工厂。“先进封装”指的是将芯片产品的不同组件以更先进的制程紧密集成在一起,以加快互连速度和整体性能,这已经成为尖端芯片制造的一项关键技术。
到2021年为止,美国的封装能力仅占全球的3%。不过美国却有个宏大的目标,其目标是到2030年,让美国成为“多个先进封装设施的所在地”。为此,拜登政府去年11月宣布了“国家先进封装制造计划(NAPMP)”,从《芯片法案》中拨款30亿美元,资助先进封装领域。同一日,根据SK海力士发布的声明,该公司称在美国投资的事宜目前正处于考虑阶段,尚未做出最终决定。
绕开台积电?
SK海力士是全球领先的高带宽存储芯片(HBM)生产商,其主要客户之一是英伟达。HBM是英伟达图形处理单元(GPU)的关键部件,而英伟达GPU在人工智能领域的需求火爆。
据悉,目前SK海力士在韩国生产HBM芯片,然后运往台积电在中国台湾的工厂,再由该工厂将HBM集成到英伟达的GPU中。
据两位了解SK海力士计划的消息人士透露,SK海力士在印第安纳州的新的封装工厂将制造HBM芯片,然后直接在其工厂内将HBM芯片集成到英伟达的GPU中。
消息人士还指出,将SK海力士先进的封装技术更深入地融入英伟达的供应链,将有助于这家韩国公司抵御来自三星电子和美光科技等其他HBM生产商的竞争。
推动美国本土制造
韩国产业经济研究院的研究员Kim Yang-paeng表示,鉴于台积电在亚利桑那州已经建造了两家先进制程的芯片制造工厂,如果SK海力士在印第安纳州再建一座新工厂,那么意味着,英伟达所有GPU的生产最终都将转移到美国本土。
此外,他还指出,此举将推动美国当地的芯片供应,“这是美国政府从一开始就希望看到的,也是其最近为本地化生产提供补贴的产业政策的结果。”
据一位美国官员表示,“我们的想法是让更先进的芯片在美国生产,考虑到人工智能,这一举措尤其重要。”
美国政府的态度则是,“在美国制造芯片,然后将它们运往海外进行包装,这会带来我们无法接受的供应链和国家安全风险”。
【来源:财联社】
光纤在线公众号
更多猛料!欢迎扫描左方二维码关注光纤在线官方微信
相关产品
- 低插损,超小体积,可伐材料激光焊接封装,抗侧拉光纤保护设计,超工业温度范围运行,带WDM和OADM功能的CWDM可分支光缆
- 低插损,超小体积,可伐材料激光焊接封装,抗侧拉光纤保护设计,无需机箱,可挂墙使用的带WDM和OADM功能的DWDM可分支光缆
- 6通道微型化低插损DWDM波分器件,中心波长可定制,带监控端、升级端和1310nm通道,典型插损1.2dB,单侧出纤,光路无胶,波长精准可调,激光焊接封装,工业温度运行
- 带DWDM分波合波功能的可分支光缆,Fiber protection, Free space DWDM Mux Demux Breakout Cable 8通道低插损,小截面尺寸,气密性焊接封装,抗侧拉光纤保护
- 4通道低插损微型化CWDM粗波分复用&解复用器件,典型插损0.8dB,自由空间3D设计,单侧出纤, 可伐材料激光焊接封装,工业温度运行和适配0.25英寸卡槽
- 6通道1271-1371nm或ITU,典型插损1.0dB,自由空间3D设计,单侧出纤, 可伐材料激光焊接封装,工业温度运行和适配0.25英寸卡槽的CWDM粗波分复用&解复用器件
- 8通道低插损微型化CWDM粗波分复用&解复用器件,典型插损1.2dB,自由空间3D设计,单侧出纤, 可伐材料激光焊接封装,工业温度运行和适配0.25英寸卡槽
- 12通道低插损微型化CWDM粗波分复用&解复用器件,典型插损1.4dB,自由空间3D设计,单侧出纤, 可伐材料激光焊接封装,工业温度运行和适配0.25英寸卡槽
- 18通道低插损微型化CWDM粗波分复用&解复用器件,典型插损1.5dB,自由空间3D设计,单侧出纤, 可伐材料激光焊接封装,工业温度运行和适配0.25英寸卡槽
- 4通道100G/200GHz超低插损微型化DWDM复用&解复用器件,光谱参数、封装尺寸和运行条件可定制,带监控端、升级端和1310nm通道,典型插损1.0dB,单侧出纤,光路无胶,波长精准可