光互连与HBM的结合:三星在存储技术领域的新动向

光纤在线编辑部  2024-01-24 09:42:14  文章来源:原文转载  

导读:本文综述了三星、SK 海力士和美光等领先内存制造商,如何通过光互连技术和直接逻辑集成来提升 HBM 的性能。

1/24/2024,光纤在线讯,据逍遥科技整理。在高性能计算领域,如 GPU 等核心芯片对数据的渴望日益增长,高带宽内存(HBM)技术的重要性不断提升。随着应用程序越来越依赖于大量数据,提高 HBM 的速度成为了一个迫切的课题。本文综述了三星、SK 海力士和美光等领先内存制造商,如何通过光互连技术和直接逻辑集成来提升 HBM 的性能。文中还探讨了这些方法可能带来的利益与风险,尤其是非标准化解决方案可能引发的供应商锁定问题。同时,也对未来的 JEDEC HBM 标准,如 HBM4 和 HBM4e 的发展方向进行了讨论。

     高带宽内存(HBM)使得 GPU 这类处理能力强大的芯片能够访问更大的外部内存带宽。随着人工智能、机器学习以及高性能计算(HPC)等领域对数据需求的不断增长,急需通过提升 HBM 接口速度来缩短处理时间(Mellor,2023年)。本文回顾了主要内存供应商为提高 HBM 速度而采取的最新措施,包括光学和直接集成的创新手段,并讨论了关于 HBM 技术的未来标准化工作。

     当前 HBM 现状 HBM 技术依赖于堆叠内存,这些内存在逻辑上作为一个整体运行。目前,HBM3e 能提供每堆栈最高 24GB 的容量,速度可达 1.2TB/s,使用的是 1024 位的宽接口(Mellor,2023年)。HBM 堆栈通过一个中间连接器与主处理器相连。尽管已经相当快速,行业内还是在寻求进一步提升 HBM 性能,以便更快地处理数据。

三星的光互连创新 
     近期,三星提出了创新想法:在 HBM 堆栈和处理器封装内部使用光互连来提升传输速度,声称可达飞秒级延迟。图 1 从概念上展示了这一光互连创新。三星认为,这种方法将大幅提高带宽和功耗效率。但是,如何将这一创新落到实处,目前还存在一些不确定性(Mellor,2023年)。

   
图 1. 三星在 2023 年 OCP 全球峰会上的展示。


直接集成
     除了光互连创新之外,制造商还在探索将 HBM 堆栈直接集成到处理器芯片上的可能性,这与内存中处理(PIM)的理念类似。图 2 展示了 SK 海力士对这种被称为 “HBM4” 技术的构想。这种紧密集成可能带来更快的互联速度,但如果缺乏行业标准,也可能面临专有技术锁定的风险(Mellor,2023年)。


图 2. SK 海力士互连器(顶部)与组合的 HBM+GPU 芯片(底部)HBM 概念。


未来标准
     美光,作为另一家主要的内存供应商,预计基于 JEDEC 标准的 HBM4 将在 2026 年推出,每堆栈带宽将超过 1.5TB/s,使用 2048 位总线,并在容量和功耗效率方面有所提升。此外,还有一个后续版本 "HBM4e" 正在规划中。表 1 总结了各供应商对这些未来规格的预期目标,尽管官方批准的具体参数还未确定(Mellor,2023年)。

表 1. HBM4和HBM4e用斜体显示,因为它们还不是正式的JEDEC标准。
  

讨论
     目前,HBM 的发展重点集中在光互连和集成创新上,这些创新有望大幅提升带宽、容量和能效。然而,过于深入的集成可能会在缺乏开放标准的情况下导致供应商锁定。业界应对专有技术偏离公认的接口标准(如 JEDEC)持谨慎态度。尽管存在挑战,HBM4 和 HBM4e 为满足未来加速内存需求设定了令人期待的性能目标。标准机构、GPU 设计者和内存公司之间的持续合作,对于实现创新与互操作性的平衡非常重要。

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