光特科技InGaAs大光敏面APD获得2021中国激光金耀奖铜奖

光纤在线编辑部  2021-04-28 10:54:12  文章来源:本站消息  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:近日,由中国激光光学年会举办的2021年中国激光金耀奖颁奖典礼在2021上海光博会期间举行,浙江光特科技有限公司产品InGaAs大光敏面APD芯片获得“金耀奖”铜奖!

4/28/2021,光纤在线讯,近日,由中国激光光学年会举办的2021年中国激光金耀奖颁奖典礼在2021上海光博会期间举行,浙江光特科技有限公司产品InGaAs大光敏面APD芯片获得“金耀奖”铜奖!

     据了解,该奖项自2020年12月发起,经过层层海选初审,最终共有65个参评产品进入终选,并由业界专家(70%权重)和网络投票(30%权重)共同选出优秀产品。浙江光特科技有限公司产品InGaAs大光敏面APD芯片获得“金耀奖”铜奖! 

图1 颁奖现场

    除了InGaAs大光敏面APD芯片获得“金耀奖”以外,光特科技还携新产品“硅光子集成芯片”亮相上海光博会现场的金耀奖展示区。在展会上,得到了众多应用端客户的强烈关注,他们纷纷来到展位前,与芯片开发技术人员交流,同时表达了对于此款产品的合作意向。相信在不久的将来这款芯片就可以出现在数据中心、无人驾驶、3D人脸识别及人工智能(AI)等众多行业领域的实际应用中。
 
图2 传统光模块(左)与硅光芯片(右)

    目前在光通信应用领域方面,传统光通信的核心部件为采取分立式结构的光模块,传统光模块主要是III-V族半导体芯片、电路芯片、光学组件等器件封装而成,其本质上还是属于电传输范畴。而随着晶体管的制造越来越小,传统III-V族光芯片速率达到25Gbps时已趋近于传输速率极限,难以满足数据中心及电信市场的需求。

    而硅光子集成芯片利用传统半导体产业非常成熟的硅晶圆加工工艺,在硅基底上利用蚀刻工艺可以快速加工大规模波导器件,利用外延生长等加工工艺,能够制备调制器、接收器等关键器件,最终实现将调制器、接收器以及无源光学器件等高度集成。一改以往器件分立的局面,在芯片层面就大幅度集中各个器件,其传输速率最低可达100Gbps。硅光芯片不仅有集成电路的超大规模、高精度的特性,还有光子技术高速率、高稳定性、低功耗等优点。

    相比于传统光模块,硅光子集成芯片体积大幅减小,材料成本、芯片成本、封装成本均有望进一步优化。同时,硅光技术可以通过晶圆测试等方法进行批量测试,效率显著提升。因此,作为光模块替代品的硅光芯片将会凭借着自身的特性优势与前沿发展在数据中心以及电信市场抢占相当可观的市场占有率。
 
图3 高端硅光子集成芯片展品

    2021上海光博会集中展示并涵盖了激光智能制造、激光器与光电子、光学与光学制造、检测与质量控制以及中国(上海)机器视觉展暨机器视觉技术及工业应用研讨会共五个展区、六大主题领域的创新产品及应用解决方案。聚焦汽车/轨道交通、生物光电子、医疗、模具、自动化、科研、3C电子等行业应用领域。展会为期3天,总展出面积达63,500平方米,吸引了超1,000家展商参展,超过60,000专业观众到场参观!
如需进一步了解光特科技的硅光子、光电芯片产品,欢迎通过如下方式联络:
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【电话】:0575-88157199
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