台积电2nm进度曝光：2023年底良率可达90%，2024年量产

9/27/2020，光纤在线讯，据最新消息，台积电2nm工艺的研发已取得重大进展，将会采用环绕栅极晶体管技术（GAA），目前研发进入了高级阶段，先于他们的计划。在量产时间方面，有外媒在报道中指出，台积电对2nm工艺在2023年年底的风险试产良品率达到90%非常乐观。根据目前的研发进展推测，台积电的2nm工艺将在2023年风险试产，2024年大规模投产。



近日，台积电对外公布了其3nm工艺的量产目标，即到2022年下半年单月产能提升至5.5万片，2023年单月再达到10万片。除苹果包下首波产能外，第二、三波客户也已入列，若无重大危机干扰，台积电业绩将如预期保持逐年增长。

台积电总裁魏哲家在台积电技术论坛上表示，5nm正加速量产，加强版5nm预计2021年量产。3nm预计2022年下半年量产，相较5nm，3nm速度提升15%，功耗降低30%，电晶体密度提升70%。至于更先进的2nm工艺，最新的消息显示，台积电2nm工艺的研发已取得重大进展，将会采用环绕栅极晶体管技术（GAA），目前研发进入了高级阶段，先于他们的计划。

在量产时间方面，有外媒在报道中指出，台积电对2nm工艺在2023年年底的风险试产良品率达到90%非常乐观。根据目前的研发进展推测，台积电的2nm工艺将在2023年风险试产，2024年大规模投产。

并且，台积电负责营运组织的资深副总经理秦永沛透露，他们计划在新竹建设2nm工艺的芯片生产工厂，建设工厂所需的土地已经获得。台积电董事长刘德音目前也透露，他们可能会扩展位于台中的晶圆十五厂，以增加2nm工艺的产能。