CUMEC公司超厚氧化膜生长工艺技术取得突破

光纤在线编辑部  2020-07-08 09:07:01  文章来源:综合整理  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:今年5月开始CUMEC公司组织开展了“微米级超厚高质量氧化膜生长工艺”核心技术的自主研发攻关,并于近日取得重大突破。

7/08/2020,光纤在线讯    为满足SiN波导开发需求,今年5月开始CUMEC公司组织开展了“微米级超厚高质量氧化膜生长工艺”核心技术的自主研发攻关,并于近日取得重大突破。



在半导体制造业,微米级超厚高质量氧化膜生长工艺是一个高难度的非常规工艺。对于CUMEC公司新建的8吋工艺平台来说,国内没有类似的工艺可供参考,更得不到外界的技术支持,一切都需要从零开始。新工艺的研发是艰难的,需要进行大量的单项工艺试验,工艺开发从来都不是一帆风顺的,CUMEC工程师们废寝忘食,或查询文献资料,或向资深工程师请教,或多模组配合开展头脑风暴,大家心往一处想、智往一处谋、劲往一处使,经过近60个日夜的奋战,微米级的高质量氧化膜的首批样片终于制备完成,标志着CUMEC公司在特殊原料替代进口、降低成本的道路上迈出了关键的一步。

在公司发展的道路上,不会一帆风顺,还会遇到很多的新问题、新挑战,但CUMEC人相信机遇与挑战并存,抓住机遇,克服困难、迎接挑战,CUMEC的发展道路定会越走越宽。
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