专访凌越光电：EML具备更好的延展性

9/29/2021，光纤在线讯，重庆凌越光电科技有限公司成立于2020年，看起来还是一家很新的光芯片制造公司，但其定位却不同于以往光芯片企业从低速芯片开始立足，推出的第一款产品便是25G EML激光器芯片，并拥有从外延到芯片封测完整的产业链条，专注于砷化镓、磷化铟等主流半导体光芯片研发与制造。凌越光电拥有怎样的优势，可以直接面向高速光芯片的开发？背后是怎样的强大团队支撑？近日，光纤在线编辑有幸采访了凌越光电联席CEO胡翀博士。


光纤在线编辑与凌越光电联席CEO胡翀博士（右）
 
基于国际化团队及成熟晶圆平台 提供高速高性能光芯片解决方案
    胡博士坦言，凌越光电是一家新公司，但却是由高度国际化的“行业老兵”团队合作创办，当前人员规模40人中含有14位半导体、光通信行业丰富经验的博士。光芯片的设计特别是工艺、制造等环节均极度依赖于经验的积累，而不管是当前的国产替代大趋势，还是未来的前沿创新都倾向于IDM模式，但IDM模式更 必须依仗成建制的完整团队。与成熟激光企业芬兰Modulight公司的紧密合作，并吸收其经验丰富的完整芯片团队，使凌越光电有效补足这一国内行业普遍的短板，可以同时在GaAs和InP等主流半导体光芯片技术平台上的各类型产品快速发力。

    Modulight成立于2000年，总部位于芬兰坦佩雷，拥有超过20年成熟光芯片量产经验，在芬兰设有从外延设计生长至最终解理封装的全流程晶圆线。基于定制开发激光芯片的核心能力，Modulight拥有从半导体材料到器件封装、设备等激光垂直整合的解决方案，尤其是在生物医疗领域，Modulight更是从半导体材料到医疗激光工具最全面垂直整合的唯一激光企业。

    谈及凌越光电在光通信方向的发展策略，胡总表示：凌越光电起步聚焦于EML光芯片，因为EML作为集成器件，发展上“先难后易”，复杂的结构和技术导致极高的进入门槛，可一旦打牢平台技术基础，具备更好的延展性和高性能优势，往高速迭代的路径更清晰；而DML相对而言“先易后难”，在同一区域实现发光和调制，虽然低速产品门槛较低，但难以分别优化，高速应用发展空间很可能受限。基于芬兰光电半导体晶圆线20年的积累，叠加团队资深雄厚的研发设计能力，主推EML高速高性能芯片更符合当前应用及市场的趋势。当前凌越光电的25G 1310 nm EML、25G 1310 nm DML已经开始向客户送样，下一步将重点开发50G 1310 nm EML激光器芯片，以及可用于硅光路线的高功率CW 1310 nm DFB激光器芯片。

    胡博士判断，随着高速高端光通信、光模块技术方案的逐步下沉，未来56 GBd及以上 EML 的应用场景将可能下沉到 500米甚至更短，低成本的DML方案对EML的替代难度越来越大，可能需要更复杂的工艺调整和更长的验证时间。
 

从通信到非通信延展 以完整的技术平台支持更广泛的激光应用

    基于团队丰富的经验和合作伙伴Modulight强大的晶圆制程能力，为凌越光电向高速发展打下了扎实的基础。依托在芬兰设立的全流程研发生产中心也更有利于网罗欧美顶尖人才。同时凌越光电正在重庆两江新区兴建3万平米的先进光芯片基地，将拥有从外延生长、晶圆工艺至器件封测全流程设计制造能力，预计2022年下半年投入使用。

    胡博士介绍：Modulight同时还是欧美超过10家制药公司和全球领先的癌症中心的独家供应商，具备制造各种半导体和泵浦激光器（400 - 2000 nm）的长期记录，服务于光通信、测试测量、激光测距、气体传感器、航空航天、激光疗法、光遗传学等多个领域。立足于如此深厚而全面的积累，凌越光电定位国际一流光芯片IDM，希望以完整的技术平台支持更广泛的激光应用。因此除了光通信市场，凌越光电还面向大功率传感领域推出脉冲或直流的 905 nm/1550 nm激光器芯片，同时可以提供从0.6到1.7 μm的全波段各类激光芯片的定制化开发。