泰国将投资3.5亿美元建设首个SiC工厂，预计2027年运营

10/09/2024，光纤在线讯，泰国将建立首家碳化硅（SiC）晶圆工厂，预计该工厂将于2027年投入运营，以期在半导体行业取得重大进展。

据报道，泰国投资委员会宣布支持Hana Microelectronics和PTT Group成立的合资企业FT1 Corporation，投资115亿泰铢（3.5亿美元）建设泰国首家SiC工厂，该工厂将使用从韩国芯片制造商转让的技术生产6英寸和8英寸晶圆。

该工厂预计将于2027年第一季度投产，以满足汽车、数据中心和储能市场日益增长的需求。

泰国投资委员会秘书长Narit Therdsteerasukdi于9月20日率领代表团前往南奔府视察一项重大晶圆制造投资项目的进展情况。他强调了泰国的中立地缘政治立场、有竞争力的成本以及未来扩大生产的潜力。

此外，Narit Therdsteerasukdi还称赞了泰国的基础设施、稳定的电力供应、清洁能源潜力和熟练的劳动力。泰国投资委员会的支持性政策以及电动汽车、储能系统和数据中心行业的快速增长进一步巩固了泰国作为投资目的地的吸引力。

碳化硅芯片制造厂可以大大增强泰国建设电动汽车中心的雄心。碳化硅对电动汽车至关重要，因为其功率电子元件效率更高、能量损耗更低，并且能够在高温和高压下工作。这可以增加行驶里程、缩短充电时间并减小电池尺寸。

近年来，泰国一直在积极推动电动汽车的普及，并旨在建立本地电动汽车供应链。泰国政府实施了各种激励措施，以吸引外国汽车制造商（尤其是中国汽车制造商）在该国建立制造厂。

来源：爱集微