美国打压华为致3nm工艺延期半年?台积电回应:一切正常进行

光纤在线编辑部  2020-06-02 09:14:00  文章来源:综合整理  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:昨天早上据《中国台湾经济日报》消息,受华为事件冲击,台积电通知设备工厂,决定延后5nm扩建及3nm试产至明年第一季度,较原定时程延长两季度。

6/02/2020,光纤在线讯,昨天早上据《中国台湾经济日报》消息,受华为事件冲击,台积电通知设备工厂,决定延后5nm扩建及3nm试产至明年第一季度,较原定时程延长两季度。

台积电的3nm工艺是5nm之后的下一代制程节点,官方信息显示3nm工艺晶体管密度达到2.5亿/mm2,而5nm工艺是1.8亿/mm2,资料显示3nm性能较5nm提升7%,能耗比提升15%。

据悉,台积电评估工艺上多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

但台积电今天否认传闻,表示一切按照计划进行,3nm工艺如期在2021年Q1季度试产,2022年下半年正式量产。
关键字: 台积电 3nm芯片 华为
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