SK海力士拟投资1060亿美元新建芯片工厂

4/08/2021，光纤在线讯，近日，据外媒报道，芯片制造商SK海力士新建工厂的规划得到韩国政府批准。该工厂总投资额将达到1060亿美元，总面积将达到415万平方米，地点位于首尔南部约 50 公里的位置。

据悉，SK 海力士计划主要生产DRAM芯片，定于2021年第四季度开工，2025年建成投产。这一大型工厂将包含四个晶圆加工厂，每个月产量为80万片。

SK海力士表示，将在未来10年内开发10nm以下制程工艺的DRAM芯片，以及600层堆叠的NAND闪存。截至目前，该公司已经成功研发出176层堆叠的3DNAND。新技术将引入新的电介质材料来保持均匀电荷，从而保持可靠性，减少漏电。