武汉敏芯半导体携光通信芯片全系列产品参展CIOE 2019

8/19/2019,一年一度行业盛会--第21届中国国际博览会（CIOI 2019）将于9月4-7日在深圳会展中心开幕，届时武汉敏芯半导体（展位号：1C31）将携光通信、数据中心、5G通讯等相关领域的最新科技成果首次亮相光博会。诚邀业界客户及同仁前来参观交流和指导。本次展会携带的产品亮点包括：

25G CWDM DFB 系列芯片
1270nm～1370nm 25Gbps单模边发射CWDM DFB激光器，可用于25Gbps速率传输。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计和脊波导工艺，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点。芯片正表面提供十进制数字编码用于追溯。所有出货芯片均符合常温及高温测试规格。


25G PD/4*25G PD Array高速探测器芯片基于InGaAs/InP材料设计的单通道及四通道GSG共面电极半导体光电探测器，可用于25Gbps速率传输。该产品具有高响应度，低暗电流和低电容值等特点，支持高带宽，高灵敏度的接收器件应用，同时满足非气密性封装要求。


10G PD/APD 探测器系列芯片10G PIN PD
   10G PIN PD芯片采用InGaAs/InP 结构，Φ50um光敏面 、正面进光和GSG共面电极。具有暗电流小、结电容低、响应度高等特点。主要用于10Gbps光纤通信接收器件。


10G InGaAs/AlInAs APD10G InGaAs/AlInAs APD芯片是一款高速正面进光APD芯片，电极为GSG共面结构；主要用于10G PON及10Gbps SONET/SDH长距离光通信接收, 该芯片在10Gbps速率下具有低噪声和高接收灵敏度等特点。


10G CWDM DFB 系列芯片1270nm～1610nm （18 channels）10Gbps单模边发射CWDM DFB激光器，可用于10Gbps速率传输。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计和脊波导工艺，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点。芯片正表面提供十进制数字编码用于追溯。所有出货芯片均符合常温及高温测试规格。


10G 1550nm EML 芯片10G 1550nm单模边发射EML激光器，可用于10Gbps 40/80km传输。该系列采用InGaAsP/InP多量子阱结构设计和BH工艺，具有低阈值、高带宽、高可靠性等特点。芯片正表面提供十进制数字编码用于追溯。所有出货芯片均符合测试规格。


2.5G DFB 系列芯片1310nm 2.5Gbps单模边发射DFB激光器，可用于GPON ONU/SDH等。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计和脊波导工艺，具有低阈值、高效率、宽温工作等特点。芯片正表面提供十进制数字编码用于追溯。所有出货芯片均符合常温及高温测试规格。


1270nm 2.5Gbps1270nm 2.5Gbps单模边发射DFB激光器，可用于XGPON ONU/非对称10G EPON ONU等。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计和脊波导工艺，具有低阈值、高效率、宽温工作等特点。芯片正表面提供十进制数字编码用于追溯。所有出货芯片均符合常温及高温测试规格。


1490nm 2.5Gbps1490nm 2.5Gbps单模边发射DFB激光器，可用于GPON OLT/点对点传输等。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计和脊波导工艺，具有低阈值、高效率、宽温工作等特点。芯片正表面提供十进制数字编码用于追溯。所有出货芯片均符合常温及高温测试规格。


1550nm 2.5Gbps1550nm 2.5Gbps单模边发射DFB激光器，可用于SDH/点对点传输等。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计和脊波导工艺，具有低阈值、高效率、宽温工作等特点。芯片正表面提供十进制数字编码用于追溯。所有出货芯片均符合常温及高温测试规格。





武汉敏芯半导体
展位号：1号馆C区31
时间：2019年9月4日-7日
地址：深圳会展中心

关于武汉敏芯半导体
   武汉敏芯半导体股份有限公司成立于2017年12月，是一家专注于光通信用激光器和探测器芯片产品，集研发、制造和销售于一体的高科技企业。公司主营业务为2.5G/10G/25G全系列激光器和探测器光芯片及封装类产品。
敏芯半导体拥有专业的技术研发团队，以“做好每一颗光电芯片，让世界爱上中国芯”为企业使命，致力于解决中高端芯片长期依赖国外进口的瓶颈问题，为全球光器件和光模块厂商提供优质的全系列光芯片产品及技术服务。更多交流欢迎联系：

武汉敏芯半导体股份有限公司
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