国家信息光电子创新中心能力建设项目通过工信部验收

3/30/2023，光纤在线讯，近日，工业和信息化部产业发展促进中心在武汉组织召开验收会议。总投资超过5.4亿元的2017年工业转型升级《信息光电子创新中心能力建设项目》通过验收。项目完成了建设方案所列各项建设任务，达到了项目实施目标和考核指标，标志着创新中心能力平台建设全面完成，成为我国光电子器件芯片自主研发的重要工艺平台，在支撑我国通信系统核心器件自主可控方面发挥了重要作用。

　　工信部科技司副司长范书建充分肯定了两个制造业创新中心在承担国家重大任务、破解行业“卡脖子”关键技术方面所取得的成效以及通过国家级制造业创新中心平台对技术成果进行工程化研发、成果转化和企业孵化方面的工作探索。他鼓励创新中心积极投身国家重大工程和重点项目，持续释放科技成果转化平台效能，持续推进测试验证、中试孵化等创新能力建设，在创新中心转为运营期的重要节点上精准发力，抢占光电子信息产业、数字化设计与制造产业发展新高地。

　　湖北省经信厅副厅长江斌对中心顺利通过项目验收表示祝贺，要求创新中心要不断突破核心技术，创造更多创新成果，提升行业支撑与带动作用；将项目通过国家验收作为新起点，充分发挥“公司﹢联盟”的优势，持续机制创新，以技术服务行业，支撑我国制造业重点产业科技创新不断超越，希望创新中心的成果能引领行业发展。

　　中国工程院院士王玉忠充分肯定了创新中心在平台建设、技术突破、机制创新及产业化方面所取得的成果，对创新中心在行业支撑、公共服务、参与国家重大规划及智库建设方面的工作成效表示赞赏。他表示，创新中心不断突破核心技术，平台建设成果显著，行业支撑与带动作用明显。创新中心应把项目验收作为新的起点，充分发挥股东建构优势，持续机制创新，以技术服务行业，支撑我国光电子信息产业的自立自强和不断超越。

　　中国信科副总经理、总工程师陈山枝对工信部、湖北省经信厅和武汉市经信局在中国信科集团数十年来发展及信息光电子创新中心建设等工作给予的指导与大力支持表示感谢。

　　中国工程院院士、创新中心专家委员会主任余少华全面介绍了创新中心成立以来总体发展情况，他用“强核、破卡、壮圈、融链”八个字概括总结了中心五年来的建设历程。他指出，创新中心充分依托平台优势，将以国家战略科技力量为核心的光子芯片技术创新链与硅基光电子芯片自主可控产业链深度融合，不断加强研发攻关，延伸创新链、完善产业链，大大提升了我国信息光电子产业链的核心竞争力。

　　项目负责人、创新中心总经理肖希汇报了能力建设项目实施成效。他从项目目标、建设内容、财务组织管理、经济社会效益评价及验收自评价和展望五个方面介绍了项目的完成情况。

　　据了解，在平台建设方面，项目完成了Ⅲ-V族高端光电器件芯片工艺平台、硅光集成芯片工艺平台、芯片测试及器件封装工艺平台的平台建设，形成了高端光电子芯片技术的研发能力及覆盖光电子芯片设计仿真、PDK 开发、工艺流片、光电子封装、测试筛检和特性评价的完整中试能力，是支撑我国光电子器件芯片自主研发的重要工艺平台。

　　在关键共性技术研发方面，项目突破超高速光器件、光电协同、高频高密度光电封装、先进传输和控制算法四大关键技术，掌握了InP和硅光两大光子集成平台的多功能单片集成技术，开发了光域合成新型PAM4光信号发射芯片架构，研制出80GHz光电探测器和超110GHz电光调制器芯片技术，掌握并突破了高频高密度光电封装工艺。研发的高速率电光调制器技术取得重大进展，在国内率先完成了Pb/s级超大容量光传输系统实验。

　　在产业化应用方面，项目开展了一系列关键光子集成芯片和器件产品的攻关。完成国内首款商用100Gb/s硅光芯片及400Gb/s光模块的正式投产和规模应用，多款商用芯片取得产业化突破，在光传感、光量子、光测量等领域研制出一批特种光电芯片和器件产品，填补了国内空白。在支撑我国通信系统核心器件自主可控方面发挥了重要作用。

　　在知识产权方面，项目期内累计申请发明专利152项，其中PCT专利5项；中国发明专利147项，参与制定国家标准1项，牵头行业标准和课题6项，参与制订行业标准26项，累计发表学术论文88篇。在超高速光芯片、先进封装、量子信息、测试测量等方面获得标准话语权。

　　项目面向5G等光电子产业，提供芯片中试熟化、模块开发、测试测量、标准制订等服务100余次，完善产业链、服务全行业，充分发挥了国家级制造业平台的使命担当。同时在服务中探索市场化运营机制，主营业务收入稳步增长，展现了市场化运作的效益和能力。

（来源：人民邮电报）