联讯仪器高压低漏电开关矩阵RM1013-HV 满足功率半导体参数测试应用

光纤在线编辑部  2024-11-26 16:04:26  文章来源:本站消息  版权所有,未经许可严禁转载.

导读:为深入剖析并精确测量这些先进器件的各项参数及特性,进而提升其效率与可靠性,联讯仪器最新推出了10x24高压低漏电开关矩阵——RM1013-HV,能够在小于300pA的偏置电流满足3000V高压测量,完成各种高精度的半导体表征测试。

11/26/2024,光纤在线讯,随着人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的蓬勃推进,宽禁带半导体材料——尤其是碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)——凭借其卓越性能迎来了迅猛的发展势头。为了深入剖析并精确测量这些先进器件的各项参数及特性,进而提升其效率与可靠性,联讯仪器最新推出了10x24高压低漏电开关矩阵——RM1013-HV,能够在小于300pA的偏置电流满足3000V高压测量,完成各种高精度的半导体表征测试。 
      

01,高精度自动测量

联讯仪器最新推出了10x24高压低漏电开关矩阵——RM1013-HV,能够在小于300pA的偏置电流满足3000V高压测量,可配合高精度SMU完成各种功率半导体的表征测试。
      
▲RM1013-HV高压低泄漏开关矩阵框图


1)多路高压灵活测量
支持2路高压低泄漏电流通道输入,整机支持10路输入和24路输出,提高参数测量的灵活性,节省成本和时间,可配合HVSMU/SMU/CMU/DMM等测量设备实现一套高
效的半导体参数自动测试系统。
2)高压低泄漏电流
矩阵低泄漏电流小于300pA@3000V(高压低泄漏电流通道),可配合高精度的SMU (如S3030F等)实现高精度自动测量。
3)支持快速测量
开关矩阵电流建立时间小于10秒(1V电压输入开始到电流<300fA的时间),可配合SMU (如S3030F,S2016C等)实现微弱电流信号的快速测量。
4)高继电器触点寿命
开关矩阵使用世界一流的干簧管制作的继电器,机械寿命最高可达10^8次。
5)10MHz带宽
开关矩阵优化了C-V和DMM通道的传输带宽,满足高速测试的需求。
6)控制连接
支持通过USB线缆或LAN直接连接至RM1013-HV,实现通道闭合断开的控制
可以通过编程(SCPI 指令)或GUI界面控制。界面GUI非常直观和简洁,可轻松配置通道的闭合、断开进行测量。
      
▲矩阵控制软件GUI


02,通道配置

      

03,典型应用场景

功率半导体参数测试
使用高压低漏电开关矩阵可以与源表/高压源表/LCR meter/数字万用表等仪表无缝集成,组成强大的功率器件I-V、C-V参数自动化测试系统。可以高效测量MOSFET/IGBT/BJT/Diode/电容/电阻等器件的I-V、C-V各项特征参数,例如MOSFET 的BVdss、Off-leak/Id(off)-Vds、 Id-Vds等。不同器件及不同测量项目之间通过编程控制自动进行连接路径切换,一站式完成测量。
      
▲矩阵路径切换示意图


在半导体功率器件测试中通常需要测量Ciss/Coss/Crss等高压电容参数。高压电容测量与I-V测量之间的路径切换一直是测试中的难点,高压切换矩阵中内置了可切换的高压电容测量偏置电路(HV Bias Tee),可以有效地解决这个问题。
      
▲SiC MOSFET 电容特性


      
▲电容等效模型
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