广东加快推动光芯片产业创新发展 明确26项行动重点
发布时间：2024-10-21 20:19:26 热度：1020
10/21/2024，光纤在线讯，10月21日，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）》（下称“《行动方案》”），明确力争到2030年，广东取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上“拳头”产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台。
据了解，光芯片是实现光电信号转换的基础元器件，相较于集成电路，展现出更低的传输损耗、更宽的传输带宽、更小的时间延迟以及更强的抗电磁干扰能力，有望带动半导体产业变革式发展，有力支撑新一代网络通信、人工智能、智能网联汽车等产业高质量发展。
突破关键技术，加快中试转化
《行动方案》明确，强化光芯片基础研究和原始创新能力，将鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究。加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心半导体设备等方向的研发投入力度。加大“强芯”工程对光芯片的支持力度，将面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件（PDA工具）、硅光MPW流片等领域。
广东将支持企业、高校、科研院所等围绕高速光通信芯片、高性能光传感芯片、红外光传感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜铌酸锂、化合物半导体、硅基（异质异构）集成、光电混合集成等领域，建设概念验证中心、研发先导线和中试线。支持中试平台积极发挥效能。支持中试平台围绕光芯片相关领域，向中小企业提供原型制造、质量性能检测、小批量试生产、工艺放大熟化等系列服务，推动新技术、新产品加快熟化。鼓励中试平台搭建众创空间、孵化器、加速器等各类孵化载体，并通过许可、出售等方式将成熟技术成果转让给企业。
建设创新平台，推动产业集聚
广东将依托企业、高校、科研院所、新型研发机构等各类创新主体，布局建设一批光芯片领域共性技术研发平台，主要聚焦基础理论研究和新兴技术、颠覆性技术攻关。引进国内外战略科技力量，培育一批产业创新中心、技术创新中心、制造业创新中心、企业技术中心、工程研究中心、重点实验室等创新平台，主要聚焦光芯片关键细分环节。围绕研发设计、概念验证、小试、中试、检验检测、知识产权、人才培养等专业化服务领域，打造一批促进光芯片产业创新发展的公共服务平台。
《行动方案》明确，支持有条件的地市研究出台关于发展光芯片产业的专项规划，加快引进国内外光芯片领域高端创新资源。支持广州、深圳、珠海、东莞等地发挥半导体及集成电路产业链基础优势，加快培育光通信芯片、光传感芯片等产业集群，打造涵盖设计、制造、封测等环节的光芯片全产业链。支持广州、深圳、珠海、东莞等地依托半导体及集成电路产业集聚区，规划建设各具特色的光芯片专业园区。
培育领军企业，加强协同创新
广东将引进一批汇聚全球资源、在细分领域占据引领地位的领军企业和新物种企业。支持有条件的光芯片企业围绕产业链重点环节进行并购整合。探索产学研协同攻关和产业链上下游联合攻关，孵化和培育一批科技型初创企业。鼓励半导体及集成电路头部企业发挥产业基础优势，延伸布局光芯片相关领域。支持光芯片龙头企业加大在粤的研发和产线布局，加快形成光芯片产业集群。支持外资光芯片企业布局建设企业技术中心、工程研究中心、工程技术研究中心等各类平台。
《行动方案》指出，广东积极对接国家集成电路战略布局，争取一批国家级光芯片项目落地广东。加强与香港、澳门高等院校、科研院所的协同创新，对接优质科技成果、创新人才和金融资本。加强与京津冀、长三角等国内先进地区企业、机构交流合作，加强导入优质研发资源和产业资源。建立与国际知名高校、研发机构、技术转移机构等各类创新主体的交流合作机制。
强链补链，培育前沿技术
攻关光芯片关键材料装备。大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化。支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。
加强光芯片设计研发、制造布局和封装水平。支持光芯片设计企业围绕光通信互连收发芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探测芯片、短波红外有机成像芯片、TOF/FMCW激光雷达芯片、3D视觉感知芯片等领域加强研发和产业化布局。加大基于硅基、锗基、化合物半导体、薄膜铌酸锂等平台材料，以及各类材料异质异构集成、多种功能光电融合的光芯片、光模块及光器件的产线和产能布局。大力发展片上集成、3D堆叠、光波器件与光芯片的共封装（CPO）以及光I/O接口等先进封装技术，紧贴市场需求推动光芯片封装测试工艺技术升级和能力提升。
加强光芯片产品示范应用。大力支持光芯片在新一代信息通信、数据中心、智算中心、生物医药、智能网联汽车等产业的场景示范和产品应用。培育更多应用场景，加大光芯片产品在信息传输、探测、传感等领域的应用，推动相关领域半导体产品升级换代。
围绕光芯片前沿理论和技术问题开展基础攻关和研发布局。支持企业、高校、研究机构等围绕光神经网络芯片、光量子芯片、超灵敏光传感探测芯片、光电异质异构混合集成芯片、微腔光电子芯片、幂次增长算力光芯片等技术领域研发布局，努力实现原理性突破、原始性技术积累和开创性突破。（来源：南方新闻网）
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广东省人民政府办公厅关于印发广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）的通知
一图读懂广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）
据了解，光芯片是实现光电信号转换的基础元器件，相较于集成电路，展现出更低的传输损耗、更宽的传输带宽、更小的时间延迟以及更强的抗电磁干扰能力，有望带动半导体产业变革式发展，有力支撑新一代网络通信、人工智能、智能网联汽车等产业高质量发展。
突破关键技术，加快中试转化
《行动方案》明确，强化光芯片基础研究和原始创新能力，将鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究。加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心半导体设备等方向的研发投入力度。加大“强芯”工程对光芯片的支持力度，将面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件（PDA工具）、硅光MPW流片等领域。
广东将支持企业、高校、科研院所等围绕高速光通信芯片、高性能光传感芯片、红外光传感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜铌酸锂、化合物半导体、硅基（异质异构）集成、光电混合集成等领域，建设概念验证中心、研发先导线和中试线。支持中试平台积极发挥效能。支持中试平台围绕光芯片相关领域，向中小企业提供原型制造、质量性能检测、小批量试生产、工艺放大熟化等系列服务，推动新技术、新产品加快熟化。鼓励中试平台搭建众创空间、孵化器、加速器等各类孵化载体，并通过许可、出售等方式将成熟技术成果转让给企业。
建设创新平台，推动产业集聚
广东将依托企业、高校、科研院所、新型研发机构等各类创新主体，布局建设一批光芯片领域共性技术研发平台，主要聚焦基础理论研究和新兴技术、颠覆性技术攻关。引进国内外战略科技力量，培育一批产业创新中心、技术创新中心、制造业创新中心、企业技术中心、工程研究中心、重点实验室等创新平台，主要聚焦光芯片关键细分环节。围绕研发设计、概念验证、小试、中试、检验检测、知识产权、人才培养等专业化服务领域，打造一批促进光芯片产业创新发展的公共服务平台。
《行动方案》明确，支持有条件的地市研究出台关于发展光芯片产业的专项规划，加快引进国内外光芯片领域高端创新资源。支持广州、深圳、珠海、东莞等地发挥半导体及集成电路产业链基础优势，加快培育光通信芯片、光传感芯片等产业集群，打造涵盖设计、制造、封测等环节的光芯片全产业链。支持广州、深圳、珠海、东莞等地依托半导体及集成电路产业集聚区，规划建设各具特色的光芯片专业园区。
培育领军企业，加强协同创新
广东将引进一批汇聚全球资源、在细分领域占据引领地位的领军企业和新物种企业。支持有条件的光芯片企业围绕产业链重点环节进行并购整合。探索产学研协同攻关和产业链上下游联合攻关，孵化和培育一批科技型初创企业。鼓励半导体及集成电路头部企业发挥产业基础优势，延伸布局光芯片相关领域。支持光芯片龙头企业加大在粤的研发和产线布局，加快形成光芯片产业集群。支持外资光芯片企业布局建设企业技术中心、工程研究中心、工程技术研究中心等各类平台。
《行动方案》指出，广东积极对接国家集成电路战略布局，争取一批国家级光芯片项目落地广东。加强与香港、澳门高等院校、科研院所的协同创新，对接优质科技成果、创新人才和金融资本。加强与京津冀、长三角等国内先进地区企业、机构交流合作，加强导入优质研发资源和产业资源。建立与国际知名高校、研发机构、技术转移机构等各类创新主体的交流合作机制。
强链补链，培育前沿技术
攻关光芯片关键材料装备。大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化。支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。
加强光芯片设计研发、制造布局和封装水平。支持光芯片设计企业围绕光通信互连收发芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探测芯片、短波红外有机成像芯片、TOF/FMCW激光雷达芯片、3D视觉感知芯片等领域加强研发和产业化布局。加大基于硅基、锗基、化合物半导体、薄膜铌酸锂等平台材料，以及各类材料异质异构集成、多种功能光电融合的光芯片、光模块及光器件的产线和产能布局。大力发展片上集成、3D堆叠、光波器件与光芯片的共封装（CPO）以及光I/O接口等先进封装技术，紧贴市场需求推动光芯片封装测试工艺技术升级和能力提升。
加强光芯片产品示范应用。大力支持光芯片在新一代信息通信、数据中心、智算中心、生物医药、智能网联汽车等产业的场景示范和产品应用。培育更多应用场景，加大光芯片产品在信息传输、探测、传感等领域的应用，推动相关领域半导体产品升级换代。
围绕光芯片前沿理论和技术问题开展基础攻关和研发布局。支持企业、高校、研究机构等围绕光神经网络芯片、光量子芯片、超灵敏光传感探测芯片、光电异质异构混合集成芯片、微腔光电子芯片、幂次增长算力光芯片等技术领域研发布局，努力实现原理性突破、原始性技术积累和开创性突破。（来源：南方新闻网）
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广东省人民政府办公厅关于印发广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）的通知
一图读懂广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）
