高精度、高速、一体式丨Santec晶圆测厚系统 TMS-2000

7/19/2024，光纤在线讯，在半导体制造领域，晶圆的厚度测量对于确保产品质量和性能至关重要。随着技术的发展，行业对晶圆平整度和厚度的测量精度要求越来越高。Santec TMS-2000高精度晶圆测厚系统，为高精度测量提供定制化解决方案。 

     Sanetc 的TMS-2000系统以非接触方式测量晶圆平整度，在极端工作环境中抗干扰能力强，可测晶圆尺寸范围上至12英寸，其测量精度可达1nm。相较于传统晶圆测厚技术的测量精度易受温度变化或环境震动影响，TMS-2000的创新式硬件设计使其能有效抵抗环境干扰。

     TMS-2000的高速测量能力和一体式紧凑设计使其成为测量各种从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂，SOI等材料晶圆的理想平台。

      
特点
     1nm精度：TMS-2000实现亚纳米级晶圆测厚，确保测量的极致精准。
    抗干扰设计：在极端工作环境中，有效抵抗温度变化和机械震动的干扰。
    全晶圆测量：支持从轻掺到重掺P型硅等材料的全范围厚度测量，及客制化扫描模式。
     一体式光路：照明-探测集成设计，简化操作流程。
     国际标准：测量结果符合SEMI标准。

测量方法
      
厚度测绘
     TMS-2000提供可视化的数据采集程序，便于用户进行直观一致的测量、分析和数据输出。

      
边缘 & 局部检测
     TMS-2000提供多样的平整度参数，可用于统计分析，其规格符合SEMI国际标准，且能以业界通用格式输出。

客制化

      
设备制造解决方案
     提供可定制的晶圆测量硬件制造和软件设计服务。

      
EFEM Integration
     提供自动化检测和可控微环境的设计支持。

应用
     重掺型硅：高灵敏度晶圆前后表面同时测量。
     粗糙表面：点扫描成像，高灵敏度，抗串扰噪声影响，可测量粗糙表面晶圆。
     多层结构：厚度可从μm级到数百μm级不等,适用于SOI和MEMS生产制造。
     双折射 / 低反射材料：通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比。
     薄膜测量：可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可达 1nm，适用于晶圆背面研磨工艺和     表面声波元件制造等。

     Santec TMS-2000，为您的晶圆测厚需求提供定制化解决方案。