韩国研究人员宣布开发出新的人工智能半导体核心材料

7/16/2024，光纤在线讯，据Businesskorea 7月15日报道，韩国材料科学研究院（KIMS）能源与环境材料部门的金永勋博士领导的研究团队与浦项工科大学黄贤相教授领导的研究团队通过联合研究，成功实现了三维超集成神经形态突触器件，证明了它们在制造超高密度三维基突触阵列方面的潜力。这一器件的开发有望加速人工智能（AI）半导体的发展。

    研究人员表示，他们通过将在200摄氏度以下温度合成的范德瓦尔斯二维纳米材料应用于漏极电极和离子阻挡层，成功地实现了垂直反应电化学随机存取存储器（ECRAM）器件的三维超高度集成。

    突触器件的开发需要精确控制离子的移动。研究团队成功地通过在通道和离子电解质层之间使用由二维纳米材料制成的屏障层来控制离子移动。这使他们能够实现高性能的突触特性，如线性、对称性和耐久性，并达到95.22%的高手写模式识别准确率。

    此前，在ECRAM器件中，石墨烯等二维材料被用来制造屏障层以控制电解质层中的离子迁移，但难以实现高密度、高产量的突触半导体器件。

    三维超高密度类脑神经突触设备的开发技术被认为是一项关键的材料和工艺技术，它能够实现人工智能半导体开发所需的大规模计算的超高速、超低功耗。

    金勇勋表示：“利用这项研究的成果，我们将继续研究二维半导体材料的大面积合成及其在电子设备商业化和半导体生产工艺中的应用。”

来源：邮电设计技术
参考：businesskorea