SK海力士拟斥资38.7亿美元 赴美建首座HBM先进封装厂

4/07/2024，光纤在线讯，近日，韩国内存大厂SK海力士宣布，斥资38.7亿美元在美国印第安那州兴建新先进内存封装厂，预期2028年下半年开始运营，有望生产HBM4和HBM4E内存产品。

     据报道，该厂将不加工带内存电路的芯片，而是从其他地方（如韩国SK海力士芯片厂）获得这些芯片，再用已知良好堆栈裸晶组装HBM。

     部分用于AI和高性能运算的最先进处理器都采用HBM内存，如AMD MI300系列和Nvidia H100/H200、B100/B200系列产品。在美国设HBM封装厂将使高带宽内存的供应链更具弹性，但从SK海力士声明看，该公司将继续在韩国生产HBM内存设备。

     该工厂预期成本将大幅超越英特尔、台积电封装厂成本，加上HBM4和HBM4E内存堆栈将采用2048位界面，比现有HBM3、HBM3E复杂，因此需要更复杂的封装设备。也因此，预期SK海力士印第安那州厂投产后，将成为世界上最先进的半导体封装工厂之一。

     SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung指出，很高兴能成为业内首间在美国为AI产品创建先进封装设施的企业，期盼新工厂能推进公司AI内存芯片目标，服务客户的需求。

     该厂将位于印第安那州的西拉法叶（West Lafayette），SK海力士表示，之所以选择此处，是因为印第安那州拥有强大工业基础设施，包括以普渡大学和常春藤技术社区学院为首的研发生态系统、半导体专家，及州政府和地方政府的大力支持。

     此外，SK海力士还与普渡大学签署研发项目，并与常春藤技术社区学院（Ivy Tech Community College）合作，开设培训课程和多学科学位课程，培养高科技领域的熟练劳动力。