会员动态|优炜芯连续7年荣获“瞪羚企业”称号!
发布时间:2023-11-16 17:04:56 热度:622
11/16/2023,光纤在线讯,11月15日下午,2023光谷瞪羚企业峰会在光谷政务服务中心举办。会上发布《2023年度光谷瞪羚企业发展报告》,并授牌2023年“光谷瞪羚企业高技术十强”、“光谷瞪羚企业高成长十强”、“光谷瞪羚企业高价值十强”。
优炜芯连续7年荣获“光谷瞪羚企业”并入选“光谷瞪羚企业高技术十强”!
图来源:中国光谷
光谷瞪羚企业是东湖高新区为精准发现、培育和支持一批研发能力强、成长潜力大、掌握关键核心技术的科技型高成长企业而设立,企业通过申报、遴选、审议、公示、公布等环节才能入选。“光谷瞪羚企业”展现了政府对优炜芯创新能力、科研能力、核心技术与发展潜力的高度肯定,是优炜芯发展史上的又一个里程碑时刻。
WPE破7%,全球领先
优炜芯从2015年起,连续7年荣膺“光谷瞪羚企业”称号。在半导体高效紫外LED芯片技术和应用方面取得了一系列关键突破。解决了我国第三代氮化物半导体材料和器件供应方面的“卡脖子”问题,实现了具有自主知识产权的高效紫外LED芯片,实现了WPE7%,打破了国外技术垄断,居全球领先水平。
硬核品质,行业领跑
优炜芯在材料性能方面,综合考虑XRD半高宽、厚度和位错密度等指标,采用MOCVD在图形化蓝宝石衬底上异质外延生长的AlN厚膜的厚度和晶体质量均达到国际先进水平。
优炜芯实现了芯片尺寸20 mil×20 mil,发光波长为280 nm的深紫外LED芯片。在100 mA工作电流下,最大光输出功率高达28~35 mW,老化1000 h的维持率>90%,L70寿命>10000h,各项性能指标处于国际领先水平;
高密度COB近紫外LED阵列光源实现照射距离大于100 mm且光功率密度大于20 W/cm?;在平行光曝光领域,实现准直度小于2°均匀度大于90%,照度大于400 mW/cm?;在大面积液晶面板G8.5线领域,实现光源有效照射面积达到2.2 m×2.5 m和照度400 mW/cm?的同时,辐照均匀度大于90%。在喷码领域,在150~250 m/min的速度和10mm照射距离下,辐照度可实现30~40W/cm?,填补了行业空白。
未来,优炜芯将继续发挥自身优势,助力“世界光谷”的发展,也为中国半导体领域高质量发展贡献力量。
优炜芯连续7年荣获“光谷瞪羚企业”并入选“光谷瞪羚企业高技术十强”!
光谷瞪羚企业是东湖高新区为精准发现、培育和支持一批研发能力强、成长潜力大、掌握关键核心技术的科技型高成长企业而设立,企业通过申报、遴选、审议、公示、公布等环节才能入选。“光谷瞪羚企业”展现了政府对优炜芯创新能力、科研能力、核心技术与发展潜力的高度肯定,是优炜芯发展史上的又一个里程碑时刻。
WPE破7%,全球领先
优炜芯从2015年起,连续7年荣膺“光谷瞪羚企业”称号。在半导体高效紫外LED芯片技术和应用方面取得了一系列关键突破。解决了我国第三代氮化物半导体材料和器件供应方面的“卡脖子”问题,实现了具有自主知识产权的高效紫外LED芯片,实现了WPE7%,打破了国外技术垄断,居全球领先水平。
硬核品质,行业领跑
优炜芯在材料性能方面,综合考虑XRD半高宽、厚度和位错密度等指标,采用MOCVD在图形化蓝宝石衬底上异质外延生长的AlN厚膜的厚度和晶体质量均达到国际先进水平。
优炜芯实现了芯片尺寸20 mil×20 mil,发光波长为280 nm的深紫外LED芯片。在100 mA工作电流下,最大光输出功率高达28~35 mW,老化1000 h的维持率>90%,L70寿命>10000h,各项性能指标处于国际领先水平;
高密度COB近紫外LED阵列光源实现照射距离大于100 mm且光功率密度大于20 W/cm?;在平行光曝光领域,实现准直度小于2°均匀度大于90%,照度大于400 mW/cm?;在大面积液晶面板G8.5线领域,实现光源有效照射面积达到2.2 m×2.5 m和照度400 mW/cm?的同时,辐照均匀度大于90%。在喷码领域,在150~250 m/min的速度和10mm照射距离下,辐照度可实现30~40W/cm?,填补了行业空白。
未来,优炜芯将继续发挥自身优势,助力“世界光谷”的发展,也为中国半导体领域高质量发展贡献力量。