华为公开一项光通信专利:可降低光模块尺寸、成本及功耗
发布时间:2023-10-11 16:24:14 热度:1952
10/11/2023,光纤在线讯,2023年10月3日,据天眼查显示,华为技术有限公司最近新增了多项专利信息,其中之一是涉及光通信技术领域的“光芯片、光模块及通信设备”,公开号码为CN116841060A。
专利摘要显示,本申请提供一种光芯片、光模块及通信设备,光芯片包括:半导体衬底,以及位于半导体衬底之上的硅波导层、氮化硅波导层、电光调制器和光电探测器。光电探测器包括:锗本征结构,以及位于锗本征结构两侧的P型掺杂区和N型掺杂区;锗本征结构、P型掺杂区和N型掺杂区集成于硅波导层内。氮化硅波导层位于硅波导层背离半导体衬底的一侧,电光调制器位于氮化硅波导层背离半导体衬底的一侧。
本申请实施例中的光芯片的集成度较高,将该光芯片应用于光模块中,可以降低光模块的尺寸、成本及功耗。
华为指出,随着互联网技术的发展,人类对网络带宽需求的不断快速爆炸式增长。灵活光网络的提出、相干技术的发展,光网络集成度的提升等,都在有效的解决人们日益增长的需求。随着光通信系统的集成度不断提升,光模块正在向高速率、小型化、低成本、低功耗等方向发展。高速电光调制器和高速光电探测器作为对光网络的中从电域向光域/光域向电域转换的核心接口,被广泛应用于大容量长距离的相干通信系统中,光器件和其中光芯片的形态会直接影响到整个光模块的速率,尺寸,成本和功耗。然而,相关技术中,由于光芯片的集成度较低,导致光模块的尺寸无法减小、光模块的功耗无法进一步降低。因此华为提出了以上专利。
专利摘要显示,本申请提供一种光芯片、光模块及通信设备,光芯片包括:半导体衬底,以及位于半导体衬底之上的硅波导层、氮化硅波导层、电光调制器和光电探测器。光电探测器包括:锗本征结构,以及位于锗本征结构两侧的P型掺杂区和N型掺杂区;锗本征结构、P型掺杂区和N型掺杂区集成于硅波导层内。氮化硅波导层位于硅波导层背离半导体衬底的一侧,电光调制器位于氮化硅波导层背离半导体衬底的一侧。
本申请实施例中的光芯片的集成度较高,将该光芯片应用于光模块中,可以降低光模块的尺寸、成本及功耗。
华为指出,随着互联网技术的发展,人类对网络带宽需求的不断快速爆炸式增长。灵活光网络的提出、相干技术的发展,光网络集成度的提升等,都在有效的解决人们日益增长的需求。随着光通信系统的集成度不断提升,光模块正在向高速率、小型化、低成本、低功耗等方向发展。高速电光调制器和高速光电探测器作为对光网络的中从电域向光域/光域向电域转换的核心接口,被广泛应用于大容量长距离的相干通信系统中,光器件和其中光芯片的形态会直接影响到整个光模块的速率,尺寸,成本和功耗。然而,相关技术中,由于光芯片的集成度较低,导致光模块的尺寸无法减小、光模块的功耗无法进一步降低。因此华为提出了以上专利。