英思嘉半导体发布业界首款53Gbaud Driver Integrated EML TOSA
发布时间：2023-09-07 13:42:00 热度：963
9/07/2023，光纤在线讯，英思嘉半导体发布业界首款53Gbaud Driver Integrated EML TOSA并在CIOE现场demo展示，适用于100G DR1/FR1/LR1/ER1应用。
随着带宽要求的日益提高，市场对高速 100Gbs （53Gbaud/s）模块的需求也在不断增加。在这些高速 100Gbs 模块中，BOX和TO封装最为常用。针对TO封装的TOSA，柔板的设计极为关键，由于柔板的反射损耗差，容易导致带内共振，从而影响TOSA的性能。在选择材料厚度时，较薄的柔板会增加射频线的损耗，而较厚的柔板又需要预留更多空间给TOSA。其次，TO封装在header部分很难做到阻抗完全匹配，从而使传输线的反射增大。在实际装配过程中，柔板弯曲半径往往会超过材料极限弯折条件，从而使阻抗发生变化。这些设计难点都会影响TOSA的带宽，降低性能，导致生产良率低。因此与采用 TO 封装的 TOSA方案相比，英思嘉低成本BOX封装的TOSA——ISG-O5415，性能优越，是更经济理想的选择。
英思嘉ISG-O5415 是业界首款专为 100G DR1/FR1/LR1/ER1 应用设计的 53Gbuad Driver Integrated EML TOSA。该产品在 TOSA 内部集成了英思嘉专利直流耦合EML驱动器——ISG-D5616。得益于ISG-D5616驱动器的设计，TX 端无需任何外部Bias-T。ISG-O5415 的输入为差分信号，从而减少了在标准 EML TOSA 中使用单端驱动时 TX 和 RX 端之间的串扰。该产品采用柔板连接的设计，将更便于与PCB组装，特别是当装配技术不支持 COB 应用时，柔板连接的优势将更为突出。ISG-O5415 具有出色的射频性能，带宽大于 30GHz，采用非气密BOX 封装，可提供更高的灵活性及更优的性价比。
英思嘉将在2023 CIOE光博会现场演示 ISG-O5415 demo，欢迎莅临12A61英思嘉展台预约参观，该产品现可提供样品和技术支持。
Measured Optical eye at 53Gbaud/s
Outer ER=5.5dB | TDECQ=1.20dB
关于英思嘉半导体
成都英思嘉半导体技术有限公司成立于2016年，专注于10G~800G 光通信Driver, CDR, TIA和OSA产品的研发与生产，目前英思嘉半导体已经开发出一系列几十种10G/25G/50G/100G/200G/400G/800G高速光通信芯片及光组件产品，积累了多项相关专利技术。基于英思嘉半导体芯片方案的5G中传/回传产品、200G数据中心产品已经处于大批量生产和交付阶段。以满足客户需求为使命，英思嘉半导体将持续创新，开发更多的高速IC和OSA产品, 为客户提供一流的产品、技术以及相关服务，助推5G和数据中心等光传输市场的高速发展。
随着带宽要求的日益提高，市场对高速 100Gbs （53Gbaud/s）模块的需求也在不断增加。在这些高速 100Gbs 模块中，BOX和TO封装最为常用。针对TO封装的TOSA，柔板的设计极为关键，由于柔板的反射损耗差，容易导致带内共振，从而影响TOSA的性能。在选择材料厚度时，较薄的柔板会增加射频线的损耗，而较厚的柔板又需要预留更多空间给TOSA。其次，TO封装在header部分很难做到阻抗完全匹配，从而使传输线的反射增大。在实际装配过程中，柔板弯曲半径往往会超过材料极限弯折条件，从而使阻抗发生变化。这些设计难点都会影响TOSA的带宽，降低性能，导致生产良率低。因此与采用 TO 封装的 TOSA方案相比，英思嘉低成本BOX封装的TOSA——ISG-O5415，性能优越，是更经济理想的选择。
英思嘉ISG-O5415 是业界首款专为 100G DR1/FR1/LR1/ER1 应用设计的 53Gbuad Driver Integrated EML TOSA。该产品在 TOSA 内部集成了英思嘉专利直流耦合EML驱动器——ISG-D5616。得益于ISG-D5616驱动器的设计，TX 端无需任何外部Bias-T。ISG-O5415 的输入为差分信号，从而减少了在标准 EML TOSA 中使用单端驱动时 TX 和 RX 端之间的串扰。该产品采用柔板连接的设计，将更便于与PCB组装，特别是当装配技术不支持 COB 应用时，柔板连接的优势将更为突出。ISG-O5415 具有出色的射频性能，带宽大于 30GHz，采用非气密BOX 封装，可提供更高的灵活性及更优的性价比。
英思嘉将在2023 CIOE光博会现场演示 ISG-O5415 demo，欢迎莅临12A61英思嘉展台预约参观，该产品现可提供样品和技术支持。
Measured Optical eye at 53Gbaud/s
Outer ER=5.5dB | TDECQ=1.20dB
关于英思嘉半导体
成都英思嘉半导体技术有限公司成立于2016年，专注于10G~800G 光通信Driver, CDR, TIA和OSA产品的研发与生产，目前英思嘉半导体已经开发出一系列几十种10G/25G/50G/100G/200G/400G/800G高速光通信芯片及光组件产品，积累了多项相关专利技术。基于英思嘉半导体芯片方案的5G中传/回传产品、200G数据中心产品已经处于大批量生产和交付阶段。以满足客户需求为使命，英思嘉半导体将持续创新，开发更多的高速IC和OSA产品, 为客户提供一流的产品、技术以及相关服务，助推5G和数据中心等光传输市场的高速发展。
