现场直击！普赛斯仪表携全系列半导体电性能测试设备亮相2023慕尼黑上海电子展
发布时间：2023-07-12 09:34:09 热度：855
7/12/2023，光纤在线讯，7月11日，2023慕尼黑上海电子展(Electronica China)在上海国家会展中心开幕，本届展会以“融合创新、智引未来”为主题，汇聚半导体、无源器件、智能网联&新能源汽车、传感器、连接器、开关、线束线缆、电源、测试测量、印刷电路板、电子制造服务、先进制造等企业，打造从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台，以创新技术促进中国电子产业发展。
普赛斯仪表致力于半导体测试高端装备的国产化，携全系列半导体电性能测试主力产品及半导体领域从材料、晶圆到器件测试解决方案亮相本次展会，吸引众多工程师和行业嘉宾前来体验交流。
测试测量是整个电子产业质量控制的有效手段，半导体根据生产环节不同，质量控制分为前道检测、中道检测和后道测试。前道检测又称为过程工艺检测，面向晶圆制造，检查光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP等晶圆制造环节后产品加工参数是否达到设计要求或存在影响良率缺陷，偏向物理性检测；中道检测面向先进封装，以光学等非接触式手段针对重布线结构、凸点与硅通孔等晶圆制造环节的质量控制；后道测试主要面向晶圆检测（CP，Circuit Probing）和成品测试（FT，Final Test），检查芯片性能是否符合要求，偏向电性能检测。
围绕半导体的电性能测试，普赛斯仪表现场展示了自主研发的源表系列(SMU)、脉冲恒流源 (FIMV)、高压电源 (FIMV、FVMI)、脉冲恒压源以及数据采集卡五大类产品，涵盖直流源表、脉冲源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度的超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表，其稳定性、可靠性、一致性得到广泛的市场验证。
聚焦第三代半导体快速发展下企业面临的困境和挑战，普赛斯仪表副总经理兼研发技术负责人王承与现场嘉宾进行了更深层次的探讨。
SiC/IGBT 功率半导体器件测试
针对SiC/IGBT器件在测试中存在的测不准、测不全、可靠性以及效率低的问题，普赛斯仪表推荐一种基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案，具备更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力。具有高电压(3500V)和大电流(6000A)特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
GaN 功率半导体器件测试
针对氮化镓(GaN)包括砷化镓(GaAs)等材料构成的高速器件的I-V测试，普赛斯仪表全新推出的CP系列脉冲恒压源可以高效快速解决测试难题。产品具有脉冲电流最高可至10A、脉冲宽度最小可低至100ns；支持直流、脉冲两种电压输出模式等特点。产品可应用于GaN的自热效应，脉冲S参数测试等场合。
科学仪器赛道长坡厚雪，国产替代需求强烈。普赛斯仪表将持续创新，不断推动产业链上下游合作联动，以优异的产品与服务助力客户实现产业增值，共赴可持续未来。
展会为期3天，7月11日-13日
展位号：6.2H C613
普赛斯仪表期待您的莅临！
普赛斯仪表致力于半导体测试高端装备的国产化，携全系列半导体电性能测试主力产品及半导体领域从材料、晶圆到器件测试解决方案亮相本次展会，吸引众多工程师和行业嘉宾前来体验交流。
测试测量是整个电子产业质量控制的有效手段，半导体根据生产环节不同，质量控制分为前道检测、中道检测和后道测试。前道检测又称为过程工艺检测，面向晶圆制造，检查光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP等晶圆制造环节后产品加工参数是否达到设计要求或存在影响良率缺陷，偏向物理性检测；中道检测面向先进封装，以光学等非接触式手段针对重布线结构、凸点与硅通孔等晶圆制造环节的质量控制；后道测试主要面向晶圆检测（CP，Circuit Probing）和成品测试（FT，Final Test），检查芯片性能是否符合要求，偏向电性能检测。
围绕半导体的电性能测试，普赛斯仪表现场展示了自主研发的源表系列(SMU)、脉冲恒流源 (FIMV)、高压电源 (FIMV、FVMI)、脉冲恒压源以及数据采集卡五大类产品，涵盖直流源表、脉冲源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度的超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表，其稳定性、可靠性、一致性得到广泛的市场验证。
聚焦第三代半导体快速发展下企业面临的困境和挑战，普赛斯仪表副总经理兼研发技术负责人王承与现场嘉宾进行了更深层次的探讨。
SiC/IGBT 功率半导体器件测试
针对SiC/IGBT器件在测试中存在的测不准、测不全、可靠性以及效率低的问题，普赛斯仪表推荐一种基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案，具备更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力。具有高电压(3500V)和大电流(6000A)特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
GaN 功率半导体器件测试
针对氮化镓(GaN)包括砷化镓(GaAs)等材料构成的高速器件的I-V测试，普赛斯仪表全新推出的CP系列脉冲恒压源可以高效快速解决测试难题。产品具有脉冲电流最高可至10A、脉冲宽度最小可低至100ns；支持直流、脉冲两种电压输出模式等特点。产品可应用于GaN的自热效应，脉冲S参数测试等场合。
科学仪器赛道长坡厚雪，国产替代需求强烈。普赛斯仪表将持续创新，不断推动产业链上下游合作联动，以优异的产品与服务助力客户实现产业增值，共赴可持续未来。
展位号：6.2H C613
普赛斯仪表期待您的莅临！
