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三星电子、SK海力士 3D DRAM 商业化加速

发布时间:2023-03-14 10:24:36 热度:793

3/14/2023,光纤在线讯,三星电子和 SK 海力士等全球 DRAM 巨头正在加速推进 3D DRAM 的商用化,但远不如美光公司(从 2019 年开始进行 3D DRAM 研究,获得的专利数量是两家公司的 2 ~ 3 倍)。

     12 日,韩国半导体业界消息称,三星电子和 SK 海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速 3D DRAM 商业化,他们认为 3D DRAM 是克服 DRAM 物理局限性的一种方法。

     在首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上,三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室室长李钟明表示:“3D DRAM 被认为是半导体产业的未来增长动力。”

     此外,负责 SK 海力士未来技术研究所的 SK 海力士副总经理车善龙也表示:“将于明年公开 3D DRAM 的电子特性细节,从而确定开发方向。”

     3D DRAM 是一种采用全新结构的存储芯片。简单来说,现有 DRAM 产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度,但随着线宽进入 10nm 范围,业界开始面临电容器漏电和干扰等物理限制。为了避免或削弱这种影响,业界引进了高介电常数 (高 K) 沉积材料和极紫外 (EUV) 设备等新材料和设备。但半导体行业认为,制造 10nm 或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战。

     三星电子和 SK 海力士今年实现量产的高端 DRAM 线宽为 12 纳米。考虑到目前 DRAM 线宽微缩至 1nm 将面临的情况,业界认为 3 ~ 4 年后新型 DRAM 商品化将会是一种必然,而不是一种方向。

     当然,与现有的 DRAM 市场不同,据IT之家所知 3D DRAM 市场目前还没有绝对的领导者,因此快速量产才是至关重要的。随着 ChatGPT 等人工智能应用产品的活跃,业界也开始增加对高性能、大容量存储半导体的需求。

     相信随着三星电子和 SK 海力士开始加快 3D DRAM 技术的商用化,我们未来也将会更多厂商甚至中国厂商推出类似的技术方案和产品,敬请期待。

(IT之家)
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