十大科技成果揭幕:光迅科技参与两项
发布时间:2022-12-12 14:46:16 热度:1917
12/12/2022,光纤在线讯,今天,2022中国信息通信大会在成都召开,工信部领导、中国科协领导、四川省领导、两院院士、学者、专家及企业家代表等出席,大会以“科技引领创新、5G赋能中国”为主题,围绕5G/6G、量子通信、区块链、国防通信等前沿技术展开交流。会上,中国通信学会“2021年中国信息通信领域重大科技进展”评选结果(全国共十项)揭晓,光迅科技参与的《16Tbit/s (80×200Gbit/s)10000公里标准单模光纤传输系统实验》和《1.6Tb/s硅光互连芯片》两个项目成功入选。
▍国内首次
16Tbit/s (80×200Gbit/s)10000公里标准单模光纤传输系统实验
该实验由中国信科集团光纤通信技术和网络国家重点实验室联合鹏城实验室、国家信息光电子创新中心、烽火通信和光迅科技等单位共同完成。实验基于合作单位自主研制的超低损耗、超大有效面积光纤、低噪声拉曼光放大器件以及硅基集成相干收发器等关键器件和模块,采用新型数字预均衡技术结合Nyquist整形技术及自适应、可编程的光域信道均衡算法,完成了80×200Gbit/s DWDM Nyquist整形DP-QPSK光信号10000公里标准单模光纤传输系统实验。
▲系统实验配置图与实物图
该实验是国内首个传输容量超10Tbit/s、传输距离达到10000公里的光纤传输系统实验,实验系统的成功标志着我国在超长距离、超大容量光纤传输技术领域取得了一次重要突破,将对我国跨洋和洲际光纤通信产业产生重大推动作用。
▍1.6Tb/s硅光互连芯片
该成果由国家信息光电子创新中心、光纤通信技术和网络国家重点实验室、光迅科技联合鹏城实验室共同研发,旨在破解网络通信设备中数据带宽和功耗互相制约的难题,通过光电融合大幅度提升数据传输的容量和能效比、系统性地突破Tb/s硅光收发芯片关键技术,满足全球数据流量呈指数级爆发式增长的需求。在理论技术方面,联合研发团队系统性地掌握了光电协同硅光调制器和异质锗硅波导探测器关键技术,将硅光有源器件带宽提升至80GHz以上;攻克了多种硅光器件的制备工艺和兼容性问题,开发出高频高密度封装和先进光子链路均衡方法,在国际上首次完成了单片8×200Gb/s硅基光互连芯片的功能验证。该芯片的通道速率和单片互连容量较现有商用硅光芯片分别提升2倍,实现我国光互连芯片向Tb/s级的首次跨越。
▲1.6Tb/s 硅基光互连芯片架构和实测结果
此芯片传输容量不仅刷新了国内此前光互连芯片速率和密度的最好水平(即“目前公开报道中国际最高指标”),还展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势,为我国硅光技术方向描绘出高水平自立自强的光明前景。该技术成果也有效地支撑我国超高速(400Gb/s、800Gb/s、1.6Tb/s)光通信芯片产品的实现,将有力保障“东数西算”等重大工程顺利实施,为数据中心海量数据的高速、高效、高可靠性传输方案提供技术指引和解决方案。
中国信息通信领域重大科技进展评选发布,旨在把握信息通信领域前沿动态,促进我国信息通信科技创新,鼓励广大科学家和科技工作者不断向科学技术广度和深度进军。未来,光迅科技将继续瞄准国际研发先进水平和国际商用最高水平,集中优势科研资源和创新力量,持续增强自主创新能力,努力成为国内领先、国际一流光通信企业。
▍国内首次
16Tbit/s (80×200Gbit/s)10000公里标准单模光纤传输系统实验
该实验由中国信科集团光纤通信技术和网络国家重点实验室联合鹏城实验室、国家信息光电子创新中心、烽火通信和光迅科技等单位共同完成。实验基于合作单位自主研制的超低损耗、超大有效面积光纤、低噪声拉曼光放大器件以及硅基集成相干收发器等关键器件和模块,采用新型数字预均衡技术结合Nyquist整形技术及自适应、可编程的光域信道均衡算法,完成了80×200Gbit/s DWDM Nyquist整形DP-QPSK光信号10000公里标准单模光纤传输系统实验。
该实验是国内首个传输容量超10Tbit/s、传输距离达到10000公里的光纤传输系统实验,实验系统的成功标志着我国在超长距离、超大容量光纤传输技术领域取得了一次重要突破,将对我国跨洋和洲际光纤通信产业产生重大推动作用。
▍1.6Tb/s硅光互连芯片
该成果由国家信息光电子创新中心、光纤通信技术和网络国家重点实验室、光迅科技联合鹏城实验室共同研发,旨在破解网络通信设备中数据带宽和功耗互相制约的难题,通过光电融合大幅度提升数据传输的容量和能效比、系统性地突破Tb/s硅光收发芯片关键技术,满足全球数据流量呈指数级爆发式增长的需求。在理论技术方面,联合研发团队系统性地掌握了光电协同硅光调制器和异质锗硅波导探测器关键技术,将硅光有源器件带宽提升至80GHz以上;攻克了多种硅光器件的制备工艺和兼容性问题,开发出高频高密度封装和先进光子链路均衡方法,在国际上首次完成了单片8×200Gb/s硅基光互连芯片的功能验证。该芯片的通道速率和单片互连容量较现有商用硅光芯片分别提升2倍,实现我国光互连芯片向Tb/s级的首次跨越。
此芯片传输容量不仅刷新了国内此前光互连芯片速率和密度的最好水平(即“目前公开报道中国际最高指标”),还展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势,为我国硅光技术方向描绘出高水平自立自强的光明前景。该技术成果也有效地支撑我国超高速(400Gb/s、800Gb/s、1.6Tb/s)光通信芯片产品的实现,将有力保障“东数西算”等重大工程顺利实施,为数据中心海量数据的高速、高效、高可靠性传输方案提供技术指引和解决方案。
中国信息通信领域重大科技进展评选发布,旨在把握信息通信领域前沿动态,促进我国信息通信科技创新,鼓励广大科学家和科技工作者不断向科学技术广度和深度进军。未来,光迅科技将继续瞄准国际研发先进水平和国际商用最高水平,集中优势科研资源和创新力量,持续增强自主创新能力,努力成为国内领先、国际一流光通信企业。