新技术让6G半导体导电性增至4倍

10/08/2022，光纤在线讯，日本大阪大学、三重大学、美国康奈尔大学的研究团队开发出了用于“6G”的半导体成膜技术。研究团队开发出了去除成膜过程中产生的杂质的方法，把晶体管材料的导电性提高到原来的约4倍。计划应用于产业用途，例如在高速无线通信基站上增幅电力等。

据相关媒体报道称，目前想要实现超高速通信，需要导电性强的晶体管。该硬性需求使得，在基板上分别层叠电子生成层和电子转移层的高电子迁移率晶体管被人们所关注。据目前的技术，电子生成层大多使用的氮化铝镓，其中，导电性强的氮化铝（AlN）的含有率为20～30％，而新技术将提高氮化铝的比率。