源杰半导体拟科创板IPO，募资9.8亿元扩建10G/25G/50G光芯片项目
发布时间：2022-01-19 11:05:56 热度：2208
1/19/2022，光纤在线讯 近日，上交所正式受理了陕西源杰半导体科技股份有限公司（以下简称：源杰半导体）科创板上市申请。
源杰半导体成立于2013年，聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售， 主要产品包括 2.5G、10G 、25G 及更高速率激光器芯片等系列产品，目前主要应用于光纤接入、4G/5G 移动通信网络和数据中心等领域。
源杰半导体是国内光芯片行业里少数的掌握芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM 全流程业务体系的公司，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。在光芯片行业中，相较于 Fabless 模式，IDM 模式是行业主流方向，也是我国企业解决高端光芯片技术及量产瓶颈的最佳生产模式。
源杰半导体掌握着光芯片设计与生产的核心技术，生产的激光器系列产品技术指标达到国际先进水平，已实现向海信宽带、中际旭创（300308.SZ）、博创科技（300548.SZ）、铭普光磁（002902.SZ）等国际前十及国内主流光模块厂商批量供货，产品用于中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信、AT&T 等国内外知名运营商网络中。根据光通信行业知名的市场咨询公司 C&C 的统计，2020 年，全球光通信用的光芯片市场规模约 20亿美元，国产光芯片厂商销售总额约 25 亿元，发行人 2020 年销售收入为 2.33 亿元，约占国内光芯片厂商销售总额的 9.32%。
当前，源杰半导体已成长为国内高速光芯片的领先者。根据 C&C（和弦产业研究中心） 的统计，2020 年在磷化铟（InP）半导体激光器芯片产品对外销售的国内厂商中，源杰半导体收入排名第一，其中 10G、25G 激光器芯片系列产品的出货量在国内同行业公司中均排名第一，2.5G 激光器芯片系列产品的出货量在国内同行业公司中排名领先。在细分产品方面，2020 年，凭借 10G 1270nm DFB 激光器芯片，源杰半导体在出口海外 10G-PON（XGS-PON）市场中占据领先地位；凭借 25G MWDM 12 波段DFB 激光器芯片，源杰半导体成为满足中国移动相关 5G 建设方案唯一批量供货的厂商。
源杰半导体产品推进路线图
|||| 发行情况：
发行前总股本为 4,500 万股，本次拟发行股份不超过 1,500 万股（不考虑采用超额配售选择权发行的股票数量，且不低于本次发行后公司总股本的 25%，以中国证监会同意注册后的数量为准）。本次发行均为新股，不涉及股东公开发售股份。
|||| 业绩屡创佳绩：
招股书显示，公司近三年的营收和净利润均增长明显，且高速率激光器芯片营收净利贡献持续提升。
2018年~2020年全年及2021年上半年，源杰半导体的收入分别为7041万元，8121万元，2.33亿元，8751万元；综合毛利率分别为48.61%，44.99%，68.15%，58.2%。
|||| 两大芯片制造平台、八大技术保障高品质芯片规模化交付
招股书显示，源杰半导体经过多年研发与产业化积累，已形成了具备“掩埋型激光器芯片制造平台”和“脊波导型激光器芯片制造平台”的两大芯片制造平台基；积累了包括高速调制激光器芯片技术、异质化合物半导体材料对接生长技术、小发散角技术等八大技术实现性能优势和成本优势。坚持以技术创新为核心发展目标，围绕光芯片应用，打造可持续的研发能力。培养专业的研发团队、构建有效的激励机制、建立完善的研发体系，保证技术创新有序开展及持续规范。
面向未来，源杰半导体将继续深耕光芯片行业，着力提升高速率激光器芯片产品的研发能力，着力打造良性的人才梯队，加速研发成果的转化。基于现有的光通信领域继续纵向深耕，推出更高速率的激光器芯片产品，积极向激光雷达、消费电子等领域布局探索。持续培育并夯实开发高质量光通信领域激光器芯片产品所需的三大关键技术力：前瞻设计开发与知识产权、晶圆工艺开发梯队、高端设备应用与相应制程技术。公司将加大投资并加强专业培训，进一步深化技术优势。
此外，源杰半导体正在加速研发下一代激光器芯片产品，并积极拓展光芯片在其他领域的应用。目前，公司在光通信领域已着手 50G、100G 高速率激光器芯片产品以及硅光直流光源大功率激光器芯片产品的商用推进，力图实现在高端激光器芯片产品的特性及可靠性方面对美、日垄断企业的全面对标。同时，源杰半导体已与部分激光雷达厂商达成合作意向，努力实现新技术领域的弯道超车。
|||| 募投项目：
源杰半导体本次拟募集资金9.8亿元，其中10G、25G 光芯片产线建设项目拟投入募集资金5.7亿元，50G 光芯片产业化建设项目拟投入募集资金1.20亿元，研发中心建设项目 1.4亿元，补充流动资金1.50亿元。
其中， “10G、25G 光芯片产线建设项目”将有助于解决公司目前所面临的 10G、25G 光芯片产线紧缺及产能受限的问题，从而提升市场供应能力，满足客户需求， 促进公司的长远发展。
“50G 光芯片产业化建设项目”将助力 50G 高速光芯片的批量生产，促进公司抢占市场先机，推动国产化进程，提升公司所处的行业地位并增强其盈利能力。
源杰半导体成立于2013年，聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售， 主要产品包括 2.5G、10G 、25G 及更高速率激光器芯片等系列产品，目前主要应用于光纤接入、4G/5G 移动通信网络和数据中心等领域。
源杰半导体是国内光芯片行业里少数的掌握芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM 全流程业务体系的公司，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。在光芯片行业中，相较于 Fabless 模式，IDM 模式是行业主流方向，也是我国企业解决高端光芯片技术及量产瓶颈的最佳生产模式。
源杰半导体掌握着光芯片设计与生产的核心技术，生产的激光器系列产品技术指标达到国际先进水平，已实现向海信宽带、中际旭创（300308.SZ）、博创科技（300548.SZ）、铭普光磁（002902.SZ）等国际前十及国内主流光模块厂商批量供货，产品用于中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信、AT&T 等国内外知名运营商网络中。根据光通信行业知名的市场咨询公司 C&C 的统计，2020 年，全球光通信用的光芯片市场规模约 20亿美元，国产光芯片厂商销售总额约 25 亿元，发行人 2020 年销售收入为 2.33 亿元，约占国内光芯片厂商销售总额的 9.32%。
当前，源杰半导体已成长为国内高速光芯片的领先者。根据 C&C（和弦产业研究中心） 的统计，2020 年在磷化铟（InP）半导体激光器芯片产品对外销售的国内厂商中，源杰半导体收入排名第一，其中 10G、25G 激光器芯片系列产品的出货量在国内同行业公司中均排名第一，2.5G 激光器芯片系列产品的出货量在国内同行业公司中排名领先。在细分产品方面，2020 年，凭借 10G 1270nm DFB 激光器芯片，源杰半导体在出口海外 10G-PON（XGS-PON）市场中占据领先地位；凭借 25G MWDM 12 波段DFB 激光器芯片，源杰半导体成为满足中国移动相关 5G 建设方案唯一批量供货的厂商。
源杰半导体产品推进路线图
|||| 发行情况：
发行前总股本为 4,500 万股，本次拟发行股份不超过 1,500 万股（不考虑采用超额配售选择权发行的股票数量，且不低于本次发行后公司总股本的 25%，以中国证监会同意注册后的数量为准）。本次发行均为新股，不涉及股东公开发售股份。
|||| 业绩屡创佳绩：
招股书显示，公司近三年的营收和净利润均增长明显，且高速率激光器芯片营收净利贡献持续提升。
2018年~2020年全年及2021年上半年，源杰半导体的收入分别为7041万元，8121万元，2.33亿元，8751万元；综合毛利率分别为48.61%，44.99%，68.15%，58.2%。
|||| 两大芯片制造平台、八大技术保障高品质芯片规模化交付
招股书显示，源杰半导体经过多年研发与产业化积累，已形成了具备“掩埋型激光器芯片制造平台”和“脊波导型激光器芯片制造平台”的两大芯片制造平台基；积累了包括高速调制激光器芯片技术、异质化合物半导体材料对接生长技术、小发散角技术等八大技术实现性能优势和成本优势。坚持以技术创新为核心发展目标，围绕光芯片应用，打造可持续的研发能力。培养专业的研发团队、构建有效的激励机制、建立完善的研发体系，保证技术创新有序开展及持续规范。
面向未来，源杰半导体将继续深耕光芯片行业，着力提升高速率激光器芯片产品的研发能力，着力打造良性的人才梯队，加速研发成果的转化。基于现有的光通信领域继续纵向深耕，推出更高速率的激光器芯片产品，积极向激光雷达、消费电子等领域布局探索。持续培育并夯实开发高质量光通信领域激光器芯片产品所需的三大关键技术力：前瞻设计开发与知识产权、晶圆工艺开发梯队、高端设备应用与相应制程技术。公司将加大投资并加强专业培训，进一步深化技术优势。
此外，源杰半导体正在加速研发下一代激光器芯片产品，并积极拓展光芯片在其他领域的应用。目前，公司在光通信领域已着手 50G、100G 高速率激光器芯片产品以及硅光直流光源大功率激光器芯片产品的商用推进，力图实现在高端激光器芯片产品的特性及可靠性方面对美、日垄断企业的全面对标。同时，源杰半导体已与部分激光雷达厂商达成合作意向，努力实现新技术领域的弯道超车。
|||| 募投项目：
源杰半导体本次拟募集资金9.8亿元，其中10G、25G 光芯片产线建设项目拟投入募集资金5.7亿元，50G 光芯片产业化建设项目拟投入募集资金1.20亿元，研发中心建设项目 1.4亿元，补充流动资金1.50亿元。
其中， “10G、25G 光芯片产线建设项目”将有助于解决公司目前所面临的 10G、25G 光芯片产线紧缺及产能受限的问题，从而提升市场供应能力，满足客户需求， 促进公司的长远发展。
“50G 光芯片产业化建设项目”将助力 50G 高速光芯片的批量生产，促进公司抢占市场先机，推动国产化进程，提升公司所处的行业地位并增强其盈利能力。
