Gazettabyte：Scintil光子打造III-V与硅一体的集成技术

2/10/2020, 发光，调制，路由，滤光，检测，全部都在硅上实现的支持规模制造的半导体集成光路器件开发商SCINTIL光子上月底继去年九月获得440万欧元首轮融资之后再次成为业内关注的对象。这次关注他们的是著名的光通信博客Gazettabyte。

在女CEO兼CTO Sylvia Menezo的领导下，Scintil光子的特长在于将III-V族材料叠加到硅衬底上以实现激光，放大以及调制等功能。自从去年首轮融资以后，与未经公开名字的商业流片机构合作，这家法国初创公司已经在稳步扩大自己的员工队伍，从八个发展到十多个。

Menezo女士此前曾经担任法国科研服务机构CEA-Leti旗下硅光实验室和业务发展机构负责人。在那时候，也有不少客户希望投资Leti的硅光技术。但是硅上如何生长III-V族材料的技术一直并不成熟。Menezo女士表示，要实现这个技术，需要专业的团队，更需要一大笔及时的投资。于是她找到Leti的领导。在他们的支持下，Menezo女士辞职专心发展这一技术。CEA也在新公司里占有最初的股份。多年以前编辑曾经采访过CEA-Leti。类似于台湾的工研院，这家机构主要的目标就是实现技术向制造的转移，创造更多的工作机会。

         Scintil工艺简介
不同于其他硅光初创公司，Scintil光子在InP和硅光两个领域都很擅长。他们的目标是全集成的PIC产品，他们的光集成器件库里包括了激光器，调制器，波导，滤光器和探测器等。Menezo表示：“我们的制造流程对CMOS工艺友好，并基于现有的硅光技术，我们的目标是同时制造III-V族和硅光器件，并且实现商用化。”具体来说，在外面的商用硅光流片机构做完硅光芯片后，再利用Scintil自己的工艺将这片晶圆键合到一个硅基材料上，倒装，然后刻蚀出SOI（Silicon-on-Insulator）衬底。InP层被键合到这层硅衬底层上，随后再用CMOS工艺来制作激光器，SOA和调制器等。这个工艺的优点就是CMOS友好，工艺标准，III-V族器件的刻蚀和电接触工艺都兼容CMOS。另外这个工艺的优点还在于可扩展。在不影响III-V族材料集成基础上，新的材料和功能可以逐步增加到硅光工艺中。在Menezo看来，这个技术未来很有机会和今天的CMOS一样友好。

根据Gazettabyte的介绍，Scintil光子已经在开发用于800Gbps和1.6Tbps相干通信客户侧的光集成器件，类似8x100Gbps的器件。另外的应用则是光电混合封装Co-packaged技术，用于芯片级的光互联。